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2007 | OriginalPaper | Buchkapitel

Simulation Study of Multiple FIN FinFET Design for 32nm Technology Node and Beyond

verfasst von : Xinlin Wang, Andres Bryant, Omer Dokumaci, Phil Oldiges, Wilfried Haensch

Erschienen in: Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007

Verlag: Springer Vienna

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In this work, we investigate multiple FIN FinFET source/drain designs to reduce series resistance and source/drain-to-gate capacitance. The tradeoffs between the increased parasitic capacitance and reduced parasitic resistance are explored using 3D device simulations.

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Metadaten
Titel
Simulation Study of Multiple FIN FinFET Design for 32nm Technology Node and Beyond
verfasst von
Xinlin Wang
Andres Bryant
Omer Dokumaci
Phil Oldiges
Wilfried Haensch
Copyright-Jahr
2007
Verlag
Springer Vienna
Buch
Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007

Print ISBN: 978-3-211-72860-4

Electronic ISBN: 978-3-211-72861-1

Copyright-Jahr: 2007

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-211-72861-1_30