Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Bücher
Zeitschriften
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
SLX-Digitalkonferenz: Zukunftswerkstatt 2024

Mehr Umsatz mit Top-Kontakten

Am 7. Mai erfahren Sie, wie Vertriebsteams Leadgenerierung, Leadnurturing und Leadstrategien effizient steuern können.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Erschienen in:
Nanomanufacturing Technology and Opportunities Through Physically-Based Simulation Kapitel lesen Erstes Kapitel lesen

2007 | OriginalPaper | Buchkapitel

Simulation Study of Multiple FIN FinFET Design for 32nm Technology Node and Beyond

verfasst von : Xinlin Wang, Andres Bryant, Omer Dokumaci, Phil Oldiges, Wilfried Haensch

Erschienen in: Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007

Verlag: Springer Vienna

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

In this work, we investigate multiple FIN FinFET source/drain designs to reduce series resistance and source/drain-to-gate capacitance. The tradeoffs between the increased parasitic capacitance and reduced parasitic resistance are explored using 3D device simulations.

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren
Vorheriges Kapitel Impact of Two-Step Recessed SiGe S/D Engineering for Advanced pMOSFETs of 32 nm Technology Node and Beyond
Nächstes Kapitel Device Design and Scalability of an Impact Ionization MOS Transistor with an Elevated Impact Ionization Region
Metadaten
Titel
Simulation Study of Multiple FIN FinFET Design for 32nm Technology Node and Beyond
verfasst von
Xinlin Wang
Andres Bryant
Omer Dokumaci
Phil Oldiges
Wilfried Haensch
Copyright-Jahr
2007
Verlag
Springer Vienna
Buch
Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007

Print ISBN: 978-3-211-72860-4

Electronic ISBN: 978-3-211-72861-1

Copyright-Jahr: 2007

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-211-72861-1_30

Neuer Inhalt

    Bildnachweise