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Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 11/2014

01.11.2014

Sintering behavior and microwave dielectric properties of TiO2 added Ba4(Sm0.5Nd0.5)28/3Ti18O54 ceramics with Li2O–Al2O3–B2O3 glass addition

verfasst von: Geng Chang, Xiao-hua Zhou, Ying-xiang Li, Shu-ren Zhang

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 11/2014

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Abstract

Effect of Li2O–Al2O3–B2O3 (LAB) doping on sintering behavior, microstructure and microwave dielectric properties of Ba6−3x (Sm1−y , Nd y )8+2x Ti18O54 + 2TiO2 (x = 2/3 and y = 0.5; BSNTT) ceramics were investigated. The BSNTT ceramics doped with 2 wt.% LAB significantly lowered the sintering temperature by 250 °C compared to un-doped BSNTT (at 1,300 °C) without a serious degradation of the microwave dielectric properties. As the small amount of LAB content increased, the small amount of liquid phase increase in an amorphous state around the surface of the grain boundaries without secondary phase formation as observed in the X-ray diffraction and energy dispersive spectroscopy results. With increasing the content of LAB glass, both of dielectric constant (ε r ) and quality factor (Q × f) value decreased. Typically, the BSNTT + 2 wt.% LAB ceramic which were well sintered at 1,050 °C for 3 h showed optimal microwave dielectric properties of: ε r  = 61.1, Q × f = 5,856 GHz and τ f  = +16.75 ppm/°C.

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Literatur
1.
2.
Zurück zum Zitat Y.X. Li, H. Li, B. Tang, S.R. Zhang, H.T. Chen, Y. Wei, J. Electron. Mater. 43, 1107–1111 (2014)CrossRef Y.X. Li, H. Li, B. Tang, S.R. Zhang, H.T. Chen, Y. Wei, J. Electron. Mater. 43, 1107–1111 (2014)CrossRef
3.
Zurück zum Zitat C.C. Cheng, TE Hsieh, IN Lin. Mater. Chem. Phys. 79, 119–123 (2003)CrossRef C.C. Cheng, TE Hsieh, IN Lin. Mater. Chem. Phys. 79, 119–123 (2003)CrossRef
4.
Zurück zum Zitat Y.X. Li, J.S. Li, B. Tang, S.R. Zhang, H. Li, Z.J. Qin, H.T. Chen, H. Yang, H. Tu, J. Mater. Sci. Mater. Electron. 25, 2780–2785 (2014)CrossRef Y.X. Li, J.S. Li, B. Tang, S.R. Zhang, H. Li, Z.J. Qin, H.T. Chen, H. Yang, H. Tu, J. Mater. Sci. Mater. Electron. 25, 2780–2785 (2014)CrossRef
5.
6.
Zurück zum Zitat R. Ubic, I.M. Reaney, W.E. Lee, Int. Mater. Rev. 43, 205–219 (1998)CrossRef R. Ubic, I.M. Reaney, W.E. Lee, Int. Mater. Rev. 43, 205–219 (1998)CrossRef
7.
Zurück zum Zitat H. Ohsato, T. Ohhashi, S. Nishigaki, Jpn. J. Appl. Phys. 32, 4323–4326 (1993)CrossRef H. Ohsato, T. Ohhashi, S. Nishigaki, Jpn. J. Appl. Phys. 32, 4323–4326 (1993)CrossRef
9.
Zurück zum Zitat H. Ohsato, H. Kato, M. Mizuta, S. Nishigaki, T. Okuda, Jpn. J. Appl. Phys. 34(9B), 5413–5417 (1995)CrossRef H. Ohsato, H. Kato, M. Mizuta, S. Nishigaki, T. Okuda, Jpn. J. Appl. Phys. 34(9B), 5413–5417 (1995)CrossRef
10.
11.
12.
Zurück zum Zitat H. Ohsato, A. Komura, Y. Tagaki, S. Nishigaki, T. Okuda, Jpn. J. Appl. Phys. 37(9B), 5357 (1998) H. Ohsato, A. Komura, Y. Tagaki, S. Nishigaki, T. Okuda, Jpn. J. Appl. Phys. 37(9B), 5357 (1998)
13.
Zurück zum Zitat N. Santha, M.T. Sebastian, V. George, J. Philip, Mater. Chem. Phys. 100, 423 (2006)CrossRef N. Santha, M.T. Sebastian, V. George, J. Philip, Mater. Chem. Phys. 100, 423 (2006)CrossRef
14.
Zurück zum Zitat M. He, X.L. Chen, B.Q. Hu, T. Zhou, Y.P. Xu, T. Xu, J. Solid State Chem. 165, 187–192 (2002)CrossRef M. He, X.L. Chen, B.Q. Hu, T. Zhou, Y.P. Xu, T. Xu, J. Solid State Chem. 165, 187–192 (2002)CrossRef
15.
Zurück zum Zitat M. He, X.L. Chen, V. Gramlich, Ch. Baerlocher, T. Zhou, B.Q. Hu, J. Solid State Chem. 163, 369–376 (2002)CrossRef M. He, X.L. Chen, V. Gramlich, Ch. Baerlocher, T. Zhou, B.Q. Hu, J. Solid State Chem. 163, 369–376 (2002)CrossRef
16.
Zurück zum Zitat M. Ohsahi, H. Ogawa, A. Kan, E. Tanaka, J. Eur. Ceram. Soc. 25, 2877–2881 (2005)CrossRef M. Ohsahi, H. Ogawa, A. Kan, E. Tanaka, J. Eur. Ceram. Soc. 25, 2877–2881 (2005)CrossRef
17.
Zurück zum Zitat H. Shin, S.W. Lee, H.S. Jung, Int. J. Appl. Ceram. Technol. 10, 716–722 (2013)CrossRef H. Shin, S.W. Lee, H.S. Jung, Int. J. Appl. Ceram. Technol. 10, 716–722 (2013)CrossRef
18.
Zurück zum Zitat N.O. Dantas, V.A. Silva, O.O.D. Neto, M.L.F. Nascimento, Braz. J. Phys. 42, 347–354 (2012)CrossRef N.O. Dantas, V.A. Silva, O.O.D. Neto, M.L.F. Nascimento, Braz. J. Phys. 42, 347–354 (2012)CrossRef
19.
Zurück zum Zitat D. Singh, K. Singh, B.S. Bajwa, G.S. Mudahar, D.P. Singh, Manupriya, M. Arora, V. K Dangwal. J. Appl. Phys. 104, 103515 (2008)CrossRef D. Singh, K. Singh, B.S. Bajwa, G.S. Mudahar, D.P. Singh, Manupriya, M. Arora, V. K Dangwal. J. Appl. Phys. 104, 103515 (2008)CrossRef
20.
21.
Zurück zum Zitat T. Okawa, M. Imaeda, H. Ohsato, Jpn. J. Appl. Phys. 39(9B), 5645 (2000)CrossRef T. Okawa, M. Imaeda, H. Ohsato, Jpn. J. Appl. Phys. 39(9B), 5645 (2000)CrossRef
22.
Zurück zum Zitat M. Valant, D. Suvorov, D. Kolar, Jpn. J. Appl. Phys. 35(1A), 144 (1996)CrossRef M. Valant, D. Suvorov, D. Kolar, Jpn. J. Appl. Phys. 35(1A), 144 (1996)CrossRef
23.
Zurück zum Zitat P. Laffez, G. Desgardin, B. Raveau, J. Mater. Sci. 30, 267–273 (1995)CrossRef P. Laffez, G. Desgardin, B. Raveau, J. Mater. Sci. 30, 267–273 (1995)CrossRef
24.
25.
Zurück zum Zitat B.W. Hakki, P.D. Coleman. IEEE Trans. Microw. Theory Technol. MTT8. 402–10 (1960) B.W. Hakki, P.D. Coleman. IEEE Trans. Microw. Theory Technol. MTT8. 402–10 (1960)
26.
Zurück zum Zitat M. Ohsahi, H. Ogawa, A. Kan, E. Tanaka, J. Eur. Ceram. Soc. 25, 2877–2881 (2005)CrossRef M. Ohsahi, H. Ogawa, A. Kan, E. Tanaka, J. Eur. Ceram. Soc. 25, 2877–2881 (2005)CrossRef
27.
Zurück zum Zitat H. Shin, S.W. Lee, H.S. Jung, Int. J. Appl. Ceram. Technol. 10, 716–722 (2013)CrossRef H. Shin, S.W. Lee, H.S. Jung, Int. J. Appl. Ceram. Technol. 10, 716–722 (2013)CrossRef
28.
Zurück zum Zitat W.C. Tzou, S.L. Chang, C.F. Yang, Y.C. Chen, Mater. Res. Bull. 38, 981 (2003)CrossRef W.C. Tzou, S.L. Chang, C.F. Yang, Y.C. Chen, Mater. Res. Bull. 38, 981 (2003)CrossRef
29.
Zurück zum Zitat K.P. Surendran, P. Mohanan, M.T. Sebastian, J. Solid State Chem. 177, 4031 (2004)CrossRef K.P. Surendran, P. Mohanan, M.T. Sebastian, J. Solid State Chem. 177, 4031 (2004)CrossRef
Metadaten
Titel
Sintering behavior and microwave dielectric properties of TiO2 added Ba4(Sm0.5Nd0.5)28/3Ti18O54 ceramics with Li2O–Al2O3–B2O3 glass addition
verfasst von
Geng Chang
Xiao-hua Zhou
Ying-xiang Li
Shu-ren Zhang
Publikationsdatum
01.11.2014
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 11/2014
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-014-2228-0

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