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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 1/2007

01.01.2007 | Semiconductor Structures, Interfaces, and Surfaces

Specific features of molecules’ pyrolysis on the epitaxial surface in the case of growth of the Si1 − x Ge x layers from hydrides in vacuum

verfasst von: L. K. Orlov, S. V. Ivin

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 1/2007

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Metadaten
Titel
Specific features of molecules’ pyrolysis on the epitaxial surface in the case of growth of the Si1 − x Ge x layers from hydrides in vacuum
verfasst von
L. K. Orlov
S. V. Ivin
Publikationsdatum
01.01.2007
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 1/2007
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782607010137

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