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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 18/2018

23.02.2018

Spin-filtering effect in GaAsN: electron-nuclear spin dynamics of Ga3+ centers

verfasst von: V. G. Ibarra-Sierra, J. C. Sandoval-Santana, S. Azaizia, H. Carrère, L. A. Bakaleinikov, V. K. Kalevich, E. L. Ivchenko, X. Marie, T. Amand, A. Balocchi, A. Kunold

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 18/2018

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Abstract

The impact of Ga3+ centers in the spin-filtering effect observed in GaAsN samples is investigated through a model based on the master equation approach. Our results, compared with experimental data, show that, Ga3+ are essential to understanding the behavior of the photoluminescence intensity and degree of circular polarization as functions of a Faraday configuration magnetic field. The model presented here takes into account the interplay of Ga2+ and Ga3+ centers, Zeeman and hyperfine interaction. The various processes that drive the spin-filtering effect, as the spin selective capture of conduction band electrons into Ga centers are also considered here.
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Metadaten
Titel
Spin-filtering effect in GaAsN: electron-nuclear spin dynamics of Ga3+ centers
verfasst von
V. G. Ibarra-Sierra
J. C. Sandoval-Santana
S. Azaizia
H. Carrère
L. A. Bakaleinikov
V. K. Kalevich
E. L. Ivchenko
X. Marie
T. Amand
A. Balocchi
A. Kunold
Publikationsdatum
23.02.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 18/2018
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-018-8803-z

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