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Erschienen in:
Co-existence of Multiferroic Memories in CoFe2O4/Bi3.4Sm0.6Ti3O12 Composite Structures Kapitel lesen Erstes Kapitel lesen

2014 | OriginalPaper | Buchkapitel

Statistical Compact Model Extraction for Skewed Gaussian Variations

verfasst von : V. Janakiraman, Shrinivas J. Pandharpure, Josef Watts

Erschienen in: Physics of Semiconductor Devices

Verlag: Springer International Publishing

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A technique for extracting Statistical Compact Model (SCM) parameters for skewed Gaussian parameters is proposed. Existing techniques handle non-Gaussian variations through non-linearity in model equations. However, hardware data on certain technologies suggest that non-Gaussian variations are observed even on linear parameters like Idlin/Idsat. We propose to model such variations through skewed Gaussian random variables. Analytical expressions for the statistics of the skewed Gaussian process and performance parameters are derived. SCM parameters are extracted by setting up a skewed back propagation of variance (SBPV) algorithm.

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Metadaten
Titel
Statistical Compact Model Extraction for Skewed Gaussian Variations
verfasst von
V. Janakiraman
Shrinivas J. Pandharpure
Josef Watts
Copyright-Jahr
2014
Verlag
Springer International Publishing
Buch
Physics of Semiconductor Devices

Print ISBN: 978-3-319-03001-2

Electronic ISBN: 978-3-319-03002-9

Copyright-Jahr: 2014

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-319-03002-9_51