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Microsystem Technologies
Erschienen in: Microsystem Technologies 8/2016

11.07.2015 | Technical Paper

Studies on contact resistance in graphene based devices

verfasst von: Chen Liang, Yuelin Wang, Tie Li

Erschienen in: Microsystem Technologies | Ausgabe 8/2016

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Abstract

Contact resistance is an important limiting factor for the on-state current of graphene based devices. In this paper, both transmission line method and four-probe method are applied to measure the contact resistance in graphene-metal (Cr/Au and Ti/Au) interface. The calculated contact resistivity values by both methods are concentrated at 104 Ωμm2. These two methods are compared and four-probe method showed higher stability. At last, the graphene-Ti/Au devices are annealed at 400 °C with argon and hydrogen gas flow. After annealing, the contact resistivity values are reduced to 103 Ωμm2.
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Metadaten
Titel
Studies on contact resistance in graphene based devices
verfasst von
Chen Liang
Yuelin Wang
Tie Li
Publikationsdatum
11.07.2015
Verlag
Springer Berlin Heidelberg
Erschienen in
Microsystem Technologies / Ausgabe 8/2016
Print ISSN: 0946-7076
Elektronische ISSN: 1432-1858
DOI
https://doi.org/10.1007/s00542-015-2616-2

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