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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 2/2014

01.02.2014 | Physics of Semiconductor Devices

Study of the characteristics of ultraviolet light-emitting diodes based on GaN/AlGaN heterostructures grown by chloride-hydride vapor-phase epitaxy

verfasst von: A. V. Solomonov, S. A. Tarasov, E. A. Men’kovich, I. A. Lamkin, S. Yu. Kurin, A. A. Antipov, I. S. Barash, A. D. Roenkov, H. Helava, Yu. N. Makarov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 2/2014

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Metadaten
Titel
Study of the characteristics of ultraviolet light-emitting diodes based on GaN/AlGaN heterostructures grown by chloride-hydride vapor-phase epitaxy
verfasst von
A. V. Solomonov
S. A. Tarasov
E. A. Men’kovich
I. A. Lamkin
S. Yu. Kurin
A. A. Antipov
I. S. Barash
A. D. Roenkov
H. Helava
Yu. N. Makarov
Publikationsdatum
01.02.2014
Verlag
Springer US
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 2/2014
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782614020262

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