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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 8/2012

01.08.2012 | Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures

Study of the morphological growth features and optical characteristics of multilayer porous silicon samples grown on n-type substrates with an epitaxially deposited p +-layer

verfasst von: A. S. Lenshin, V. M. Kashkarov, P. V. Seredin, D. A. Minakov, B. L. Agapov, M. A. Kuznetsova, V. A. Moshnikov, E. P. Domashevskaya

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 8/2012

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Metadaten
Titel
Study of the morphological growth features and optical characteristics of multilayer porous silicon samples grown on n-type substrates with an epitaxially deposited p +-layer
verfasst von
A. S. Lenshin
V. M. Kashkarov
P. V. Seredin
D. A. Minakov
B. L. Agapov
M. A. Kuznetsova
V. A. Moshnikov
E. P. Domashevskaya
Publikationsdatum
01.08.2012
Verlag
SP MAIK Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 8/2012
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782612080131

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