Skip to main content
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 8/2013

01.08.2013

Suppression of defect level emissions in low temperature fabricated one-dimensional Mn doped ZnO nanorods

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 8/2013

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Abstract

One-dimensional Mn doped ZnO nanocrystallites were synthesized through a facile low temperature surfactant free chemical route. The crystallite structure and morphological evolution of the particles were revealed to be of wurtzite phase and rod like structures from the X-ray diffraction and transmission electron microscopic analysis, respectively. Using Raman spectroscopy the role of oxygen related defects and phase purity in the Mn substituted ZnO systems were studied systematically. A significant suppression in the sub-band edge emission was visualized in the room temperature emission spectra of the Mn doped systems. The intensity ratio in between the near-band edge and defect-level emissions was observed to increase, signifying the reduction in oxygen related defects and revealing their influence on the crystallinity on the Mn substituted ZnO species. These variations were correlated with the increasing number of Mn ions in the host lattice, which results with their passivating action on the surface defects.

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Literatur
1.
2.
Zurück zum Zitat L.N. Dem’yanets, L. Li, T. Uvarova, Y. Mininzon, J. Mater. Sci. 43, 2143 (2008)CrossRef L.N. Dem’yanets, L. Li, T. Uvarova, Y. Mininzon, J. Mater. Sci. 43, 2143 (2008)CrossRef
3.
Zurück zum Zitat M. Law, L.E. Greene, J.C. Johnson, R. Saykally, P. Yang, Nat. Mater. 4, 455 (2005)CrossRef M. Law, L.E. Greene, J.C. Johnson, R. Saykally, P. Yang, Nat. Mater. 4, 455 (2005)CrossRef
4.
Zurück zum Zitat S.C. Hernández, J. Kakoullis, J.H. Lim, S. Mubeen, S. Mubeen, S. Mubeen, C.M. Hangarter, A. Mulchandani, N.V. Myung, Electroanalysis 24, 1613 (2012)CrossRef S.C. Hernández, J. Kakoullis, J.H. Lim, S. Mubeen, S. Mubeen, S. Mubeen, C.M. Hangarter, A. Mulchandani, N.V. Myung, Electroanalysis 24, 1613 (2012)CrossRef
6.
Zurück zum Zitat A.B. Djurisic, X. Chen, Y.H. Leung, A.M.C. Ng, J. Mater. Chem. 22, 6526 (2012)CrossRef A.B. Djurisic, X. Chen, Y.H. Leung, A.M.C. Ng, J. Mater. Chem. 22, 6526 (2012)CrossRef
7.
Zurück zum Zitat T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, D. Ferrand, Science 287, 1019 (2000)CrossRef T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, D. Ferrand, Science 287, 1019 (2000)CrossRef
8.
Zurück zum Zitat S.P. Anthony, J.I. Lee, J.K. Kim, Appl. Phys. Lett. 90, 103107 (2007)CrossRef S.P. Anthony, J.I. Lee, J.K. Kim, Appl. Phys. Lett. 90, 103107 (2007)CrossRef
9.
Zurück zum Zitat D.C. Reynolds, D.C. Look, B. Jogai, H. Morkoc, Solid State Commun. 101, 643 (1997)CrossRef D.C. Reynolds, D.C. Look, B. Jogai, H. Morkoc, Solid State Commun. 101, 643 (1997)CrossRef
10.
11.
Zurück zum Zitat I. Shalish, H. Temkin, V. Narayanamurti, Phy. Rev. B 69, 245401-1 (2004)CrossRef I. Shalish, H. Temkin, V. Narayanamurti, Phy. Rev. B 69, 245401-1 (2004)CrossRef
12.
Zurück zum Zitat G. Mohan Kumar, P. Ilanchezhiyan, Jin Kawakita, M. Subramanian, R. Jayavel, CrystEngComm 12, 1887 (2010)CrossRef G. Mohan Kumar, P. Ilanchezhiyan, Jin Kawakita, M. Subramanian, R. Jayavel, CrystEngComm 12, 1887 (2010)CrossRef
13.
Zurück zum Zitat X. Wei, B. Man, C. Xue, C. Chen, M. Liu, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 8586 (2006)CrossRef X. Wei, B. Man, C. Xue, C. Chen, M. Liu, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 8586 (2006)CrossRef
14.
Zurück zum Zitat H.Y. Xu, Y.C. Liu, C.S. Xu, Y.X. Liu, C.L. Shao, R. Mu, Appl. Phys. Lett. 88, 242502 (2006)CrossRef H.Y. Xu, Y.C. Liu, C.S. Xu, Y.X. Liu, C.L. Shao, R. Mu, Appl. Phys. Lett. 88, 242502 (2006)CrossRef
15.
Zurück zum Zitat T. Mizokawa, T. Nambu, A. Fujimori, T. Fukumura, M. Kawasaki, Phys. Rev. B 65, 085209 (2002)CrossRef T. Mizokawa, T. Nambu, A. Fujimori, T. Fukumura, M. Kawasaki, Phys. Rev. B 65, 085209 (2002)CrossRef
16.
Zurück zum Zitat X. Zhu, H. Wu, Z. Yuan, J. Kong, W. Shenc, J. Raman Spectrosc. 40, 2155 (2009)CrossRef X. Zhu, H. Wu, Z. Yuan, J. Kong, W. Shenc, J. Raman Spectrosc. 40, 2155 (2009)CrossRef
17.
Zurück zum Zitat R.Y. Sato-Berru, A. Vazquez-Olmos, A.L. Fernandez-Osorio, S. Sotres Martınez, J. Raman Spectrosc. 38, 1073 (2007)CrossRef R.Y. Sato-Berru, A. Vazquez-Olmos, A.L. Fernandez-Osorio, S. Sotres Martınez, J. Raman Spectrosc. 38, 1073 (2007)CrossRef
18.
Zurück zum Zitat J.B. Wang, H.M. Zhong, Z.F. Li, W. Lu, J. Appl. Phys. 97, 086105 (2005)CrossRef J.B. Wang, H.M. Zhong, Z.F. Li, W. Lu, J. Appl. Phys. 97, 086105 (2005)CrossRef
19.
20.
Zurück zum Zitat T.L. Phan, R. Vincent, D. Chern, N.X. Nghia, V.V. Ursaki, Nanotechnology 19, 475702 (2008)CrossRef T.L. Phan, R. Vincent, D. Chern, N.X. Nghia, V.V. Ursaki, Nanotechnology 19, 475702 (2008)CrossRef
21.
Zurück zum Zitat Q. Zhang, T.P. Chou, B. Russo, S.A. Jenekhe, G. Cao, Adv. Funct. Mater. 18, 1654 (2008)CrossRef Q. Zhang, T.P. Chou, B. Russo, S.A. Jenekhe, G. Cao, Adv. Funct. Mater. 18, 1654 (2008)CrossRef
22.
Zurück zum Zitat Zhengwu Jin, T. Fukumura, M. Kawasali, K. Ando, H. Saito, T. Sekiguchi, Y.Z. Yoo, M. Murakami, Y. Matsumoto, T. Hasegawa, H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 78, 3824 (2001)CrossRef Zhengwu Jin, T. Fukumura, M. Kawasali, K. Ando, H. Saito, T. Sekiguchi, Y.Z. Yoo, M. Murakami, Y. Matsumoto, T. Hasegawa, H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 78, 3824 (2001)CrossRef
24.
25.
Zurück zum Zitat S.T. Tan, X.W. Sun, X.H. Zhang, S.J. Chua, B.J. Chen, C.C. Teo, J. Appl. Phys. 100, 033502 (2006)CrossRef S.T. Tan, X.W. Sun, X.H. Zhang, S.J. Chua, B.J. Chen, C.C. Teo, J. Appl. Phys. 100, 033502 (2006)CrossRef
Metadaten
Titel
Suppression of defect level emissions in low temperature fabricated one-dimensional Mn doped ZnO nanorods
Publikationsdatum
01.08.2013
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 8/2013
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-013-1201-7

Weitere Artikel der Ausgabe 8/2013

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 8/2013 Zur Ausgabe

Neuer Inhalt