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Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 7/2011

01.07.2011

Synthesis, characterization and growth mechanism of ZnO nanowires on NiCl2-coated Si substrates

verfasst von: Huizhao Zhuang, Jie Wang, Junlin Li, Peng Xu, Feng Shi

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 7/2011

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Abstract

Well-crystallized ZnO nanowires have been successfully synthesized on NiCl2-coated Si substrates via a carbon thermal reduction deposition process. The pre-deposited Ni nanoparticles by dipping the substrates into NiCl2 solution can promote the formation of ZnO nuclei. The as-synthesized nanowires were characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM), high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and photoluminescence (PL) spectrum. The results demonstrate that the as-fabricated nanowires with about 60 nm in diameter and several tens of micrometers in length are preferentially arranged along [0001] direction with (0002) as the dominate surface. Room temperature PL spectrum illustrates that the ZnO nanowires exist a UV emission peak and a green emission peak, and the peak centers locate at 387 and 510 nm. Finally, the growth mechanism of the nanowires is briefly discussed.

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Literatur
1.
2.
3.
4.
Zurück zum Zitat S.B. Qadri, H. Kim, J.S. Horwitz, D.B. Chrisey, J. Appl. Phys. 88, 6564 (2000)CrossRef S.B. Qadri, H. Kim, J.S. Horwitz, D.B. Chrisey, J. Appl. Phys. 88, 6564 (2000)CrossRef
5.
Zurück zum Zitat L. Vayssieres, K. Keis, A. Hagfeldt, S.E. Lindquist, Chem. Mater. 13, 4395–4398 (2001)CrossRef L. Vayssieres, K. Keis, A. Hagfeldt, S.E. Lindquist, Chem. Mater. 13, 4395–4398 (2001)CrossRef
6.
Zurück zum Zitat A. Umar, S. Lee, Y.H. Im, Y.B. Hahn, Nanotechnology 16, 2462–2468 (2005)CrossRef A. Umar, S. Lee, Y.H. Im, Y.B. Hahn, Nanotechnology 16, 2462–2468 (2005)CrossRef
7.
Zurück zum Zitat H.W. Kim, N.H. Kim, J.H. Shim, N.H. Cho, C. Lee, J.Mater Sci: Mater Electron. 16, 13–15 (2005)CrossRef H.W. Kim, N.H. Kim, J.H. Shim, N.H. Cho, C. Lee, J.Mater Sci: Mater Electron. 16, 13–15 (2005)CrossRef
8.
Zurück zum Zitat J. Grabowska, K.K. Nanda, E. Mcglynn, J.P. Mosnier, M.O. Henry, A. Beaucamp, A. Meaney, J. Mater. Sci.: Mater Electron. 16, 397–401 (2005)CrossRef J. Grabowska, K.K. Nanda, E. Mcglynn, J.P. Mosnier, M.O. Henry, A. Beaucamp, A. Meaney, J. Mater. Sci.: Mater Electron. 16, 397–401 (2005)CrossRef
9.
Zurück zum Zitat J.S. Jie, G.Z. Wang, Q.T. Wang, Y.M. Chen, X.H. Han, X.P. Wang et al., J. Phys. Chem. B 108, 11976–11980 (2004)CrossRef J.S. Jie, G.Z. Wang, Q.T. Wang, Y.M. Chen, X.H. Han, X.P. Wang et al., J. Phys. Chem. B 108, 11976–11980 (2004)CrossRef
11.
Zurück zum Zitat C.X. Xu, X.W. Sun, B.J. Chen, Z.L. Dong, M.B. Yu, X.H. Zhang, S.J. Chua, Nanotechnology 16, 70–73 (2005)CrossRef C.X. Xu, X.W. Sun, B.J. Chen, Z.L. Dong, M.B. Yu, X.H. Zhang, S.J. Chua, Nanotechnology 16, 70–73 (2005)CrossRef
12.
Zurück zum Zitat K. Yu, Q.X. Zhang, J. Wu, L.J. Li, Y. Xu, S.H. Huang, Z.Q. Zhu, Nano. Res. 1, 221–228 (2008)CrossRef K. Yu, Q.X. Zhang, J. Wu, L.J. Li, Y. Xu, S.H. Huang, Z.Q. Zhu, Nano. Res. 1, 221–228 (2008)CrossRef
13.
14.
Zurück zum Zitat X.L. Chen, J.Y. Li, Y.G. Cao et al., Adv. Mater. 12, 1432–1436 (2000)CrossRef X.L. Chen, J.Y. Li, Y.G. Cao et al., Adv. Mater. 12, 1432–1436 (2000)CrossRef
15.
Zurück zum Zitat J.M. Bonard, N. Weiss, H. Kind, T. Stockli, L. Forro, K. Kern, A. Chatelain, Adv. Mater. 13, 184 (2001)CrossRef J.M. Bonard, N. Weiss, H. Kind, T. Stockli, L. Forro, K. Kern, A. Chatelain, Adv. Mater. 13, 184 (2001)CrossRef
16.
Zurück zum Zitat S.C. Lyu, O.H. Cha, E.K. Suh, H. Ruh, H.J. Lee, C.J. Lee, Chem. Phys. Lett. 367, 136 (2003)CrossRef S.C. Lyu, O.H. Cha, E.K. Suh, H. Ruh, H.J. Lee, C.J. Lee, Chem. Phys. Lett. 367, 136 (2003)CrossRef
17.
Zurück zum Zitat B. Zhang, S.M. Zhou, B. Liu, H.C. Gong, X.T. Zhang, Sci. China Ser. E-Tech. 52, 883–887 (2009)CrossRef B. Zhang, S.M. Zhou, B. Liu, H.C. Gong, X.T. Zhang, Sci. China Ser. E-Tech. 52, 883–887 (2009)CrossRef
18.
Zurück zum Zitat T.Y. Kim, S.H. Lee, Y.H. Mo, K.S. Nahm, J.Y. Kim, E.K. Suh, M. Kim, Korean J. Chem. Eng. 21, 733 (2004)CrossRef T.Y. Kim, S.H. Lee, Y.H. Mo, K.S. Nahm, J.Y. Kim, E.K. Suh, M. Kim, Korean J. Chem. Eng. 21, 733 (2004)CrossRef
19.
20.
Zurück zum Zitat H.W. Seo, D. Wang, Y. Tzeng, N. Sathitsuksanoh, C.C. Tin, M.J. Bozack, J.R. Williams, M. Park, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 829, B2.26 (2005)CrossRef H.W. Seo, D. Wang, Y. Tzeng, N. Sathitsuksanoh, C.C. Tin, M.J. Bozack, J.R. Williams, M. Park, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 829, B2.26 (2005)CrossRef
21.
Zurück zum Zitat D. Wang, Optical spectroscopy of Wide-band-gap Semiconductors: Raman and photoluminescence of gallium nitride, Zinc oxide and their nanostructures (Auburn University, Auburn, 2006), pp. 1–150 D. Wang, Optical spectroscopy of Wide-band-gap Semiconductors: Raman and photoluminescence of gallium nitride, Zinc oxide and their nanostructures (Auburn University, Auburn, 2006), pp. 1–150
22.
Zurück zum Zitat A.J. Cheng, One dimensional zinc oxide nanostructures for optoelectronic applications: solar cells and photodiodes (Auburn University, Auburn, 2008), pp. 1–198 A.J. Cheng, One dimensional zinc oxide nanostructures for optoelectronic applications: solar cells and photodiodes (Auburn University, Auburn, 2008), pp. 1–198
23.
Zurück zum Zitat S.K. Panda, N. Singh, S. Pal, C. Jacob, J. Mater. Sci.: Mater Electron. 20, 771–775 (2009)CrossRef S.K. Panda, N. Singh, S. Pal, C. Jacob, J. Mater. Sci.: Mater Electron. 20, 771–775 (2009)CrossRef
24.
Zurück zum Zitat K. Vanheusden, W.L. Warren, C.H. Seager, J. Appl. Phys. 79, 7983 (1996)CrossRef K. Vanheusden, W.L. Warren, C.H. Seager, J. Appl. Phys. 79, 7983 (1996)CrossRef
25.
Zurück zum Zitat H.Y. Lu, S.Y. Chu, S.H. Cheng, J. Cryst. Growth 274, 506–511 (2005)CrossRef H.Y. Lu, S.Y. Chu, S.H. Cheng, J. Cryst. Growth 274, 506–511 (2005)CrossRef
26.
Zurück zum Zitat D.M. Bagnall, Y.F. Chen, M.Y. Shen, Z. Zhu, T. Yao, J. Cryst. Growth 185, 605–609 (1998) D.M. Bagnall, Y.F. Chen, M.Y. Shen, Z. Zhu, T. Yao, J. Cryst. Growth 185, 605–609 (1998)
27.
28.
Zurück zum Zitat L.B. Feng, A.H. Liu, M. Liu, Y.Y. Ma, J. Wei, B.Y. Man, Mater. Charact. 61, 128 (2010)CrossRef L.B. Feng, A.H. Liu, M. Liu, Y.Y. Ma, J. Wei, B.Y. Man, Mater. Charact. 61, 128 (2010)CrossRef
29.
Zurück zum Zitat M.K. Li, D.Z. Wang, F. Shi, F. Ding, H. Jin, Chin. Phys. Lett. 24, 236–239 (2007)CrossRef M.K. Li, D.Z. Wang, F. Shi, F. Ding, H. Jin, Chin. Phys. Lett. 24, 236–239 (2007)CrossRef
30.
Zurück zum Zitat Y.W. Heo, V. Varadarajan, M. Kaufman, K. Kim, D.P. Norton, F. Ren, Appl. Phys. Lett. 81, 3046–3048 (2002)CrossRef Y.W. Heo, V. Varadarajan, M. Kaufman, K. Kim, D.P. Norton, F. Ren, Appl. Phys. Lett. 81, 3046–3048 (2002)CrossRef
Metadaten
Titel
Synthesis, characterization and growth mechanism of ZnO nanowires on NiCl2-coated Si substrates
verfasst von
Huizhao Zhuang
Jie Wang
Junlin Li
Peng Xu
Feng Shi
Publikationsdatum
01.07.2011
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 7/2011
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-010-0208-6

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