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Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 3/2012

01.03.2012

Synthesis, microstructure and microwave dielectric properties of Ca4-xMgxLa2Ti5O17 ceramics

verfasst von: Guo-hua Chen, Jie-chang Di, Ming Li, Ian M. Reaney, Yan Lei, Hua-rui Xu, Chang-rong Zhou, Min-hong Jiang, Xin-yu Liu

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 3/2012

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Abstract

Ca4-xMgxLa2Ti5O17 ceramics were prepared by a solid state ceramic route for x = 0, 0.5, 1, 2, 3 and 4. The structure and microstructure of the ceramics were investigated using X-ray diffraction, scanning electron microscopy and energy dispersive X-ray spectroscopy. X-ray diffraction results show that the Ca4-x Mg x La2Ti5O17 adopts an orthorhombic crystal structure with no secondary phase observed for x from 0 to 0.5. Secondary phase, MgTiO3 occurs with further increasing doping level (1 ≤ x ≤ 3). When x = 4, mixture phases La0.66TiO2.993, MgTiO3 and a trace of unknown phase coexist. Ca4La2Ti5O17 ceramic exhibits a relative permittivity (εr) ~ 65, quality factor (Q × f) ~13,338 GHz (at ~4.75 GHz), and temperature coefficient of resonant frequency (τ f ) ~ 165 ppm/°C. The sintering temperature was distinctly reduced from 1,580 °C for x = 0 to 1,350 °C for x = 4. With increasing Mg content, εr and τf obviously decrease, while Q × f value initially decreases and then increases. The ceramic for x = 2 shows εr ~ 50, Q × f ~ 9,451 and τ f  ~ 62.5 ppm/°C. By the complete replacement of Ca with Mg, Mg4La2Ti5O17 ceramic sintered at 1,350 °C for 4 h combines a high dielectric permittivity (ε r  = 31), high quality factor (Q × f ~ 15,021) and near-zero temperature coefficient of resonant frequency (τ f  ~ 4.0 ppm/°C). The materials are suitable for microwave applications.

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Metadaten
Titel
Synthesis, microstructure and microwave dielectric properties of Ca4-xMgxLa2Ti5O17 ceramics
verfasst von
Guo-hua Chen
Jie-chang Di
Ming Li
Ian M. Reaney
Yan Lei
Hua-rui Xu
Chang-rong Zhou
Min-hong Jiang
Xin-yu Liu
Publikationsdatum
01.03.2012
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 3/2012
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-011-0483-x

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