19.10.2020
Temperature dependence of interface state density distribution determined from conductance–frequency measurements in Ni/n-GaP/Al diode
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 23/2020
EinloggenAktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.
Wählen Sie Textabschnitte aus um mit Künstlicher Intelligenz passenden Patente zu finden. powered by
Markieren Sie Textabschnitte, um KI-gestützt weitere passende Inhalte zu finden. powered by