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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 14/2018

26.05.2018

The effect of annealing on electrical properties of graphene/ZnO schottky contact

verfasst von: Yapeng Li, Yingfeng Li, Hui Zhang, Ling Tang, Qiang Zhang

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 14/2018

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Abstract

Graphene/ZnO schottky contacts was fabricated by the sol–gel method. The results showed that the crystallization of the ZnO films was improved with increasing of annealing temperature and a grain growth demonstrates in the preferred direction of (002). The graphene/ZnO schottky contact ideality factor decreased and barrier height values increased with increasing of annealing temperature. This result can be explained by weakening of the Fermi level pinning owing to the reduction of oxygen vacancies at the interface.
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Metadaten
Titel
The effect of annealing on electrical properties of graphene/ZnO schottky contact
verfasst von
Yapeng Li
Yingfeng Li
Hui Zhang
Ling Tang
Qiang Zhang
Publikationsdatum
26.05.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 14/2018
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-018-9356-x

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