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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 1/2019

02.11.2018

The effect of Yb3+ ion substitution on dielectric and microstructural properties of Y3Al5O12 ceramics

verfasst von: M. A. Almessiere, B. Unal, A. Baykal, I. Ercan

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 1/2019

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Abstract

The electrical and dielectric properties of Y3Al5O12 (yttrium aluminum garnet, YAG) ceramics are investigated in detail. YAG:(Yb)x (0.01 ≤ x ≤ 0.09) was synthesized by a solid state reaction and characterized by X-ray powder diffraction, field emission scanning electron microscopy, and high-resolution transmission electron microscopy. The electrical and dielectric properties have been intensively studied under certain bias voltages up to a frequency of 10 MHz. These properties are dependent on the substitution rates, independent of the bias voltages. The experimental result shows that Yb3+ ion substitution into YAG ceramics significantly influences the conductivity, dielectric constant, and lossy mechanisms, which is probably owing to the 3d-Al ions and 4f-Yb ions incorporated at different positions of structural symmetries in Y3−xYbxAl5O12 (0.00 ≤ x ≤ 0.09) ceramics.
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Metadaten
Titel
The effect of Yb3+ ion substitution on dielectric and microstructural properties of Y3Al5O12 ceramics
verfasst von
M. A. Almessiere
B. Unal
A. Baykal
I. Ercan
Publikationsdatum
02.11.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 1/2019
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-018-0327-z

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