01.09.2012
Thermally stimulated conductivity of Cu3BiS3 thin films deposited by co-evaporation: determination of trap parameters related to defects in the gap
Erschienen in: Journal of Materials Science | Ausgabe 18/2012
EinloggenAktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.
Wählen Sie Textabschnitte aus um mit Künstlicher Intelligenz passenden Patente zu finden. powered by
Markieren Sie Textabschnitte, um KI-gestützt weitere passende Inhalte zu finden. powered by