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Journal of Materials Science: Materials in Electronics

Erschienen in:

11.10.2021

Thickness-dependent structural, optical and dielectric properties of pulsed laser deposited Nb-doped SrTiO₃ thin films

verfasst von: R. K. Kalaiezhily, V. Jayaseelan, K. Kamala Bharathi, M. Navaneethan, Senthil Kumar Eswaran

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 11/2022

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Abstract

Here, we report on the fabrication of Nb-doped SrTiO₃ (SrTi_0.90Nb_0.10O₃) thin films of various thicknesses (50 to 375 nm) using pulsed laser deposition. X-ray diffraction studies reveal that the SrTi_0.90Nb_0.10O₃ films are polycrystalline in nature with texturing along the (110) direction. XPS studies show that Nb replaces Ti confirming B-site doping. We demonstrate that the band gap of the SrTi_0.90Nb_0.10O₃ thin films exhibit a blue shift of ~ 340 meV with decrease in thickness from 375 to 50 nm. Impedance spectroscopic studies at various temperatures (30–150 °C) suggested that the dc conductivity of the films increases with increase in temperature suggesting a thermal activation of niobium donor in the films.

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Titel: Thickness-dependent structural, optical and dielectric properties of pulsed laser deposited Nb-doped SrTiO3 thin films
verfasst von: R. K. Kalaiezhily
V. Jayaseelan
K. Kamala Bharathi
M. Navaneethan
Senthil Kumar Eswaran
Publikationsdatum: 11.10.2021
Verlag: Springer US
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 11/2022
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI: https://doi.org/10.1007/s10854-021-07038-3

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