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Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering
Erschienen in: Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering 8/2017

01.08.2017

Two-step gate-recess process combining selective wet-etching and digital wet-etching for InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs

verfasst von: Ying-hui Zhong, Shu-xiang Sun, Wen-bin Wong, Hai-li Wang, Xiao-ming Liu, Zhi-yong Duan, Peng Ding, Zhi Jin

Erschienen in: Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering | Ausgabe 8/2017

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Metadaten
Titel
Two-step gate-recess process combining selective wet-etching and digital wet-etching for InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs
verfasst von
Ying-hui Zhong
Shu-xiang Sun
Wen-bin Wong
Hai-li Wang
Xiao-ming Liu
Zhi-yong Duan
Peng Ding
Zhi Jin
Publikationsdatum
01.08.2017
Verlag
Zhejiang University Press
Erschienen in
Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering / Ausgabe 8/2017
Print ISSN: 2095-9184
Elektronische ISSN: 2095-9230
DOI
https://doi.org/10.1631/FITEE.1601121

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