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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 16/2019

01.12.2019 | NANOSTRUCTURES TECHNOLOGY

Widening the Length Distributions in Irregular Arrays of Self-Catalyzed III–V Nanowires

verfasst von: Y. Berdnikov, N. V. Sibirev, A. Koryakin

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 16/2019

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Abstract

In this work, we account the local variations of nanowire number density to extend the previous approaches to modeling of III–V nanowire length distributions in lithography-free self-catalyzed growth processes. We calculate the growth rate controlled by the re-evaporation of group V atoms from the substrate and derive the analytical expressions for length distributions in irregular arrays of nanowires. The obtained theoretical results fit well the experimentally observed statistics of self-catalyzed GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy on Si/SiOx substrates.
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Metadaten
Titel
Widening the Length Distributions in Irregular Arrays of Self-Catalyzed III–V Nanowires
verfasst von
Y. Berdnikov
N. V. Sibirev
A. Koryakin
Publikationsdatum
01.12.2019
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 16/2019
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782619120066

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