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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 16/2019

01.12.2019 | NANOSTRUCTURES TECHNOLOGY

Examination of Self-Catalyzed III–V Nanowire Growth by Monte Carlo Simulation

verfasst von: A. G. Nastovjak, A. G. Usenkova, N. L. Shwartz, I. G. Neizvestny

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 16/2019

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Abstract

The main features of self-catalyzed III–V nanowire growth according to the vapor-liquid-solid mechanism were analyzed using Monte Carlo simulation. The nanowire growth kinetics, flux ratio influence on the nanowire morphology and growth rate were considered. For some growth conditions, the self-equalization effect of metal drop sizes during the self-catalyzed III–V nanowire growth was demonstrated. It is revealed that, only under the adsorption growth mode, all drop sizes reach a single stationary value.
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A. G. Nastovjak, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz, and E. S. Sheremet, Optoelectron., Instrum. Data Proces. 45, 342 (2009).CrossRef
Metadaten
Titel
Examination of Self-Catalyzed III–V Nanowire Growth by Monte Carlo Simulation
verfasst von
A. G. Nastovjak
A. G. Usenkova
N. L. Shwartz
I. G. Neizvestny
Publikationsdatum
01.12.2019
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 16/2019
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782619120194

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