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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 16/2019

01.12.2019 | NANOSTRUCTURES TECHNOLOGY

Effect of Annealing on Luminescence of InGaN/GaN Structures Etched by a Focused Ion Beam

verfasst von: A. V. Sakharov, S. O. Usov, S. N. Rodin, W. V. Lundin, A. F. Tsatsulnikov, M. I. Mitrofanov, I. V. Levitskii, G. V. Voznyuk, M. A. Kaliteevskii, V. P. Evtikhiev

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 16/2019

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Abstract

The effect of annealing temperature and time on the luminescence intensity of the InGaN/GaN heterostructure subjected to ion beam etching was studied. We show that annealing at a temperature of 1100°C makes it possible to eliminate the radiation defects in the GaN layers that arise in the etching process with a focused Ga+ ion beam (30 keV).
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Literatur
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G. V. Voznyuk, I. V. Levitskii, M. I. Mitrofanov, D. N. Nikolaev, and V. P. Evtikhiev, J. Phys.: Conf. Ser. 1038, 012080 (2018).
6.
Metadaten
Titel
Effect of Annealing on Luminescence of InGaN/GaN Structures Etched by a Focused Ion Beam
verfasst von
A. V. Sakharov
S. O. Usov
S. N. Rodin
W. V. Lundin
A. F. Tsatsulnikov
M. I. Mitrofanov
I. V. Levitskii
G. V. Voznyuk
M. A. Kaliteevskii
V. P. Evtikhiev
Publikationsdatum
01.12.2019
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 16/2019
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S106378261912025X

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