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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 16/2019

01.12.2019 | NANOSTRUCTURES TECHNOLOGY

Initial Stages of Planar GaAs Nanowire Growth—Monte Carlo Simulation

verfasst von: A. A. Spirina, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 16/2019

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Abstract

The initial stages of planar self-catalyzed GaAs nanowire growth via the vapor-liquid-solid mechanism are considered by a kinetic lattice Monte Carlo model. The shapes of the nanocrystals being formed under a catalyzed droplet are presented for three GaAs substrate orientations (111)A, (111)B, (001). The most stable planar GaAs nanowire growth was observed on GaAs(111)A substrates.
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A. Spirina, I. G. Neizvestny, and N. L. Shwartz, Trans. Tech. Publ. 386, 27 (2018).
Metadaten
Titel
Initial Stages of Planar GaAs Nanowire Growth—Monte Carlo Simulation
verfasst von
A. A. Spirina
I. G. Neizvestny
N. L. Shwartz
Publikationsdatum
01.12.2019
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 16/2019
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782619120297

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