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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 16/2019

01.12.2019 | NANOSTRUCTURES TECHNOLOGY

Selective Epitaxy of Submicron GaN Structures

verfasst von: W. V. Lundin, A. F. Tsatsulnikov, S. N. Rodin, A. V. Sakharov, M. I. Mitrofanov, I. V. Levitskii, G. V. Voznyuk, V. P. Evtikhiev

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 16/2019

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Abstract

The effect of the growth temperature and the flow of trimethylgallium on the process of selective epitaxy of gallium nitride in windows of submicron size have been studied. The conditions under which homogeneous nucleation and coalescence of nuclei are combined with a low growth rate are determined. The steady growth of variously oriented gallium nitride strips with a height of 50 nm and a width of 600 nm was realized.
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Literatur
1.
M. I. Mitrofanov, S. N. Rodin, I. V. Levitskii, S. I. Troshkov, A. V. Sakharov, W. V. Lundin, and V. P. Evtikhiev, J. Phys.: Conf. Ser. 816, 012009 (2017).
2.
M. I. Mitrofanov, I. V. Levitskii, G. V. Voznyuk, E. E. Tatarinov, S. N. Rodin, W. V. Lundin, V. P. Evtikhiev, and M. N. Mizerov, Semiconductors 52, 2114 (2018).ADSCrossRef
3.
W. V. Lundin, A. F. Tsatsulnikov, S. N. Rodin, A. V. Sakharov, S. O. Usov, M. I. Mitrofanov, I. V. Levitskii, and V. P. Evtikhiev, Semiconductors 52, 1357 (2018).ADSCrossRef
Metadaten
Titel
Selective Epitaxy of Submicron GaN Structures
verfasst von
W. V. Lundin
A. F. Tsatsulnikov
S. N. Rodin
A. V. Sakharov
M. I. Mitrofanov
I. V. Levitskii
G. V. Voznyuk
V. P. Evtikhiev
Publikationsdatum
01.12.2019
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 16/2019
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782619120157

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