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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 3/2010

01.03.2010 | Physics of Semiconductor Devices

A study of thermal processes in high-power InGaN/GaN flip-chip LEDs by IR thermal imaging microscopy

verfasst von: A. L. Zakgeim, G. L. Kuryshev, M. N. Mizerov, V. G. Polovinkin, I. V. Rozhansky, A. E. Chernyakov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 3/2010

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Metadaten
Titel
A study of thermal processes in high-power InGaN/GaN flip-chip LEDs by IR thermal imaging microscopy
verfasst von
A. L. Zakgeim
G. L. Kuryshev
M. N. Mizerov
V. G. Polovinkin
I. V. Rozhansky
A. E. Chernyakov
Publikationsdatum
01.03.2010
Verlag
SP MAIK Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 3/2010
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782610030176

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