Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Bücher
Zeitschriften
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
ATZ-Fachkongress

Chassis.tech plus 2024


4 Kongresse in einer Veranstaltung

Treffen Sie in München die Fachleute von Chassis, Lenkung, Bremsen sowie Reifen/Räder.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 3/2010

01.03.2010 | Physics of Semiconductor Devices

Si:Er/Si diode structures for observing room-temperature electroluminescence at a wavelength of 1.54 μm

verfasst von: V. P. Kuznetsov, M. V. Kuznetsov, Z. F. Krasil’nik

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 3/2010

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …
Vorheriger Artikel Influence of radiation defects on electrical losses in silicon diodes irradiated with electrons
Nächster Artikel A technique for characterizing surface recombination in silicon wafers based on thermal-emission measurements

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren
Metadaten
Titel
Si:Er/Si diode structures for observing room-temperature electroluminescence at a wavelength of 1.54 μm
verfasst von
V. P. Kuznetsov
M. V. Kuznetsov
Z. F. Krasil’nik
Publikationsdatum
01.03.2010
Verlag
SP MAIK Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 3/2010
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S106378261003019X

Weitere Artikel der Ausgabe 3/2010

Semiconductors 3/2010 Zur Ausgabe

Low-Dimensional Systems

Effect of irradiation on the luminescence properties of low-dimensional SiGe/Si(001) heterostructures

Electrical and Optical Properties of Semiconductors

Photoconductivity and luminescence in GaSe crystals at high levels of optical excitation

Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures

GaAsSb/GaAs strained structures with quantum wells for lasers with emission wavelength near 1.3 μm

Atomic Structure and Nonelectronic Propertties of Semiconductors

Precipitation of boron in silicon on high-dose implantation

Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures

Sublimation molecular beam epitaxy of silicon-based structures

Semiconductor Structures, Interfaces, and Surfaces

Emission sensitization and mechanisms of electron-excitation migration in structures based on III-nitrides doped with rare-earth elements (Eu, Er, Sm)

Premium Partner

    Bildnachweise