01.03.2010 | Semiconductor Structures, Interfaces, and Surfaces
Emission sensitization and mechanisms of electron-excitation migration in structures based on III-nitrides doped with rare-earth elements (Eu, Er, Sm)
Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 3/2010
EinloggenAktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.
Wählen Sie Textabschnitte aus um mit Künstlicher Intelligenz passenden Patente zu finden. powered by
Markieren Sie Textabschnitte, um KI-gestützt weitere passende Inhalte zu finden. powered by