01.04.2009 | Physics of Semiconductor Devices
AlGaN/GaN-HEMTs with a breakdown voltage higher than 100 V and maximum oscillation frequency f max as high as 100 GHz
Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 4/2009
EinloggenAktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.
Wählen Sie Textabschnitte aus um mit Künstlicher Intelligenz passenden Patente zu finden. powered by
Markieren Sie Textabschnitte, um KI-gestützt weitere passende Inhalte zu finden. powered by