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2007 | OriginalPaper | Buchkapitel

Analysis of Process-Geometry Modulations through 3D TCAD

verfasst von : L. Sponton, L. Bomholt, W. Fichtner

Erschienen in: Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007

Verlag: Springer Vienna

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In this work we present a study of the combined effects of the variation of process parameters and geometry in a 65 nm technology through consistent three-dimensional TCAD process and device simulations. Channel lengths and widths together with two critical process parameters obtained through a screening experiment are examined in a 3-level full-factorial design of experiments. The results show an increased impact of process variations for short and narrow structures.

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Metadaten
Titel
Analysis of Process-Geometry Modulations through 3D TCAD
verfasst von
L. Sponton
L. Bomholt
W. Fichtner
Copyright-Jahr
2007
Verlag
Springer Vienna
Buch
Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007

Print ISBN: 978-3-211-72860-4

Electronic ISBN: 978-3-211-72861-1

Copyright-Jahr: 2007

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-211-72861-1_93