Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Bücher
Zeitschriften
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
MTZ-Fachkongress

Antriebe und Energiesysteme von morgen


Austausch von Automobil- und Energiewirtschaft

Am 14./15. Mai geht es in Chemnitz um die Mobilitätswende durch Elektro- und Wasserstofffahrzeuge.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 12/2014

01.12.2014

Effect of excess Bi content on the electrical properties of Bi0.95La0.05FeO3 thick films

verfasst von: Peng Du, Feng Yang, Xiaomei Zang, Chengcheng Qiu

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 12/2014

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Abstract

BiFeO3 (BFO)-based ferroelectric films thicker than 1 µm are promising in dielectric, piezoelectric, and pyroelectric applications. However, using the common sol–gel technology to prepare BFO-based thick films is difficult because of crack formation and poor crystallization. In this study, we demonstrate that it is possible to prepare well-crystallized Bi0.95La0.05FeO3 (BLFO) thick films with a thickness of 1.4 µm by modifying excess Bi content. The effect of excess Bi content on the electrical properties of the BLFO thick film was investigated. Most excess Bi particles were found to be concentrated in the grain boundaries of thick films instead of volatilizing. Adding appropriate excess Bi when preparing BLFO thick films was also found to promote crystal growth and improve electrical properties.
Vorheriger Artikel Significant effects of powder preparation processes on the physical properties of Bi0.5Na0.5TiO3–0.06BaTiO3 ceramic
Nächster Artikel Rheological properties and related screen-printing performance of low-temperature silver pastes for a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren
Literatur
1.
C. A-Paz de Araujo, J.D. Cuchiaro, L.D. McMillan, M.C. Scott, J.F. Scott, Nature 374, 627 (1995)CrossRef
2.
T.C. Chena, T. Lia, X. Zhang, S.B. Desu, The effect of excess bismuth on the ferroelectric properties of SrBi2Ta2O9 thin films. J. Mater. Res. 12, 1569 (1997)CrossRef
3.
Z.H. Zhou, J.M. Xue, W.Z. Li, J. Wang, H. Zhu, J.M. Miao, Appl. Phys. Lett. 85, 804 (2004)CrossRef
4.
X.G. Tang, J. Wang, X.X. Wang, H.L.W. Chan, Chem. Mater. 16, 5293 (2004)CrossRef
5.
L.Y. Wang, W. Ren, K. Yao, P.C. Goh, P. Shi, X.Q. Wu, X. Yao, J. Am. Ceram. Soc. 93, 3686 (2010)CrossRef
6.
J. Wang, J.B. Neaton, H. Zheng, V. Nagarajan, S.B. Ogale, B. Liu, D. Viehland, V. Vaithyanathan, D.G. Schlom, U.V. Waghmare, N.A. Spaldin, K.M. Rabe, M. Wuttig, R. Ramesh, Science 299, 1719 (2003)CrossRef
7.
T. Zhao, A. Scholl, F. Zavaliche, K. Lee, M. Barry, A. Doran, M.P. Cruz, Y.H. Chu, C. Ederer, N.A. Spaldin, R.R. Das, D.M. Kim, S.H. Baek, C.B. Eom, R. Ramesh, Nat. Mater. 5, 823 (2006)CrossRef
8.
9.
S.K. Singh, Y.K. Kim, H. Funakubo, H. Ishiwara, Appl. Phys. Lett. 88, 62904 (2006)CrossRef
10.
J. Dho, X. Qi, H. Kim, J.L. MacManus-Driscoll, M.G. Blamire, Adv. Mater. 18, 1445 (2006)CrossRef
11.
12.
J.J. Liu, Z.M. Yin, H.Y. Zhang, W. Sun, B. Jiang, G.D. Hu, J. Appl. Phys. 11, 066107 (2012)CrossRef
13.
A.Z. Simões, A.H.M. Gonzalez, L.S. Cavalcante, C.S. Riccardi, E. Longo, J.A. Varela, J. Appl. Phys. 101, 074108 (2007)CrossRef
14.
H. Uchida, R. Ueno, H. Funakubo, S. Koda, J. Appl. Phys. 100, 014106 (2006)CrossRef
15.
S.K. Singh, K. Maruyama, H. Ishiwara, J. Phys. D Appl. Phys. 40, 2705 (2007)CrossRef
16.
G.D. Hu, X. Cheng, W.B. Wu, C.H. Yang, Appl. Phys. Lett. 91, 232909 (2007)CrossRef
17.
B.F. Yu, M.Y. Li, Z.Q. Hu, L. Pei, D.Y. Guo, X.Z. Zhao, S.X. Dong, Appl. Phys. Lett. 93, 182909 (2008)CrossRef
18.
H.Y. Zhang, L. Cheng, B. Jiang, W. Sun, J.J. Liu, G.D. Hu, J. Mater. Sci-Mater. El. 23, 1864 (2012)CrossRef
19.
X. Qi, J. Dho, R. Tomov, M.G. Blamire, J.L. MacManus-Driscoll, Appl. Phys. Lett. 86, 062903 (2005)CrossRef
20.
S.K. Singh, H. Ishiwara, K. Maruyama, Appl. Phys. Lett. 88, 262908 (2006)CrossRef
21.
J.G. Wu, J. Wang, D.Q. Xiao, J.G. Zhu, ACS Appl. Mater. Interfaces 4, 1182 (2012)CrossRef
22.
23.
J.K. Yang, W.S. Kim, H.H. Park, Thin Solid Films 377–378, 739 (2000)CrossRef
24.
25.
J.H. Ma, X.J. Meng, J.L. Sun, T. Lin, F.W. Shi, G.S. Wang, J.H. Chu, Appl. Surf. Sci. 240, 275 (2005)CrossRef
26.
Z. Chen, Y. Zeng, C.T. Yang, B.C. Yang, Appl. Surf. Sci. 253, 1500 (2006)CrossRef
27.
Z.Y. Wang, J.S. Liu, T.L. Ren, L.T. Liu, Sensor. Actuat. A Phys. 117, 293 (2005)CrossRef
28.
X.L. Zhong, J.B. Wang, S.X. Yang, Y.C. Zhou, Appl. Surf. Sci. 253, 417 (2006)CrossRef
29.
H. Béa, M. Bibes, A. Barthélémy, K. Bouzehouane, E. Jacquet, A. Khodan, J.-P. Contour, S. Fusil, F. Wyczisk, A. Forget, D. Lebeugle, D. Colson, M. Viret, Appl. Phys. Lett. 87, 072508 (2005)CrossRef
30.
G.D. Hu, S.H. Fan, C.H. Yang, W.B. Wu, Appl. Phys. Lett. 92, 192905 (2008)CrossRef
31.
G.W. Pabst, L.W. Martin, Y.-H. Chu, R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 90, 072902 (2007)CrossRef
32.
33.
34.
J.G. Wu, J. Wang, D.Q. Xiao, J.G. Zhu, ACS Appl. Mater. Interfaces 3, 3261 (2011)CrossRef
35.
36.
Metadaten
Titel
Effect of excess Bi content on the electrical properties of Bi0.95La0.05FeO3 thick films
verfasst von
Peng Du
Feng Yang
Xiaomei Zang
Chengcheng Qiu
Publikationsdatum
01.12.2014
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 12/2014
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-014-2307-2

Weitere Artikel der Ausgabe 12/2014

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 12/2014 Zur Ausgabe

OriginalPaper

Effect on interfacial charge transfer resistance by hybrid co-sensitization in DSSC applications

OriginalPaper

Microstructure and enhanced electrical properties of (1−x)(Na0.5K0.44Li0.06)NbO3–x(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.10Ti0.90)O3 lead-free ceramics

OriginalPaper

Composition and thickness dependant optical study of a-Pb–Se–Ge–Sn glassy thin films

OriginalPaper

Influence of annealing temperature on structural, electrical and optical properties of undoped zinc oxide thin films

OriginalPaper

The anti-oxidation behavior and infrared emissivity property of SiC/ZrSiO4–SiO2 coating

OriginalPaper

Microstructure and microwave dielectric properties of MgNb2O6–ZnTa2O6 composite ceramics prepared by layered stacking method

Neuer Inhalt

    Bildnachweise