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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 7/2015

01.07.2015 | Physics of Semiconductor Devices

Effect of impurity impact ionization on the dynamic characteristics of 4H-SiC p+–n––n+ diodes at low temperatures (77 K)

verfasst von: P. A. Ivanov, A. S. Potapov, T. P. Samsonova

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 7/2015

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Metadaten
Titel
Effect of impurity impact ionization on the dynamic characteristics of 4H-SiC p+–n––n+ diodes at low temperatures (77 K)
verfasst von
P. A. Ivanov
A. S. Potapov
T. P. Samsonova
Publikationsdatum
01.07.2015
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 7/2015
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782615070118

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