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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 10/2014

01.10.2014

Effects of La3+ doping ions on dielectric properties and formation of Schottky barriers at internal interfaces in a Ca2Cu2Ti4O12 composite system

verfasst von: Prasit Thongbai, Jutapol Jumpatam, Bundit Putasaeng, Teerapon Yamwong, Vittaya Amornkitbamrung, Santi Maensiri

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 10/2014

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Abstract

Influences of La3+ substitution on the dielectric properties and formation of Schottky barriers at internal interfaces of a Ca2Cu2Ti4O12 (CaTiO3/CaCu3Ti4O12) composite system were investigated. It was found that electrostatic potential barrier height was greatly reduced by doping with La3+, leading to a large decrease in the total resistance of internal interfaces between grains. This observation was attributed to the creation of conduction electrons, which were possibly induced by electrical charge compensation of La3+ substitution into Ca2+ sites. Variations in the dielectric properties of La3+-doped CaTiO3/CaCu3Ti4O12 composite ceramics and nonlinear properties can be described based on the electrical responses at the internal interfaces between CaCu3Ti4O12–CaCu3Ti4O12 grains and CaTiO3–CaCu3Ti4O12 grains. Influence of possible charge compensation due to different levels of La3+ dopant on the formation of potential barriers was discussed.
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Metadaten
Titel
Effects of La3+ doping ions on dielectric properties and formation of Schottky barriers at internal interfaces in a Ca2Cu2Ti4O12 composite system
verfasst von
Prasit Thongbai
Jutapol Jumpatam
Bundit Putasaeng
Teerapon Yamwong
Vittaya Amornkitbamrung
Santi Maensiri
Publikationsdatum
01.10.2014
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 10/2014
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-014-2219-1

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