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2017 | OriginalPaper | Buchkapitel

8. Erweiterung konventioneller Bauelemente durch Nanotechniken

verfasst von : Ulrich Hilleringmann, John T. Horstmann

Erschienen in: Nanotechnologie und Nanoprozesse

Verlag: Springer Berlin Heidelberg

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Zusammenfassung

Die Reduktion der Dimensionen in elektronischen Bauelementen führt einerseits zu leistungsfähigeren Transistoren, bewirkt andererseits aber auch statistische Fluktuationen in den Transistorparametern wie der Schwellenspannung oder der Steilheit. Zusätzlich treten bei tiefen Temperaturen neue Effekte auf, die noch nicht vollständig erklärt werden können. Die Auswirkung der Nanoskalierung auf Transistoren wird anhand gemessener Transistorparameter und Kennlinien diskutiert.

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Literatur
2.
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Zurück zum Zitat Behammer D (1996) Niedertemperaturtechnologie zur Herstellung von skalierfähigen Si/SiGe/Si-Heterobipolartransistoren. Dissertation, University of Bochum Behammer D (1996) Niedertemperaturtechnologie zur Herstellung von skalierfähigen Si/SiGe/Si-Heterobipolartransistoren. Dissertation, University of Bochum
Metadaten
Titel
Erweiterung konventioneller Bauelemente durch Nanotechniken
verfasst von
Ulrich Hilleringmann
John T. Horstmann
Copyright-Jahr
2017
Verlag
Springer Berlin Heidelberg
DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-662-48908-6_8