Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Bücher
Zeitschriften
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
SLX-Digitalkonferenz: Zukunftswerkstatt 2024

Mehr Umsatz mit Top-Kontakten

Am 7. Mai erfahren Sie, wie Vertriebsteams Leadgenerierung, Leadnurturing und Leadstrategien effizient steuern können.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Erschienen in:
Historische Entwicklung Kapitel lesen Erstes Kapitel lesen

2017 | OriginalPaper | Buchkapitel

8. Erweiterung konventioneller Bauelemente durch Nanotechniken

verfasst von : Ulrich Hilleringmann, John T. Horstmann

Erschienen in: Nanotechnologie und Nanoprozesse

Verlag: Springer Berlin Heidelberg

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Zusammenfassung

Die Reduktion der Dimensionen in elektronischen Bauelementen führt einerseits zu leistungsfähigeren Transistoren, bewirkt andererseits aber auch statistische Fluktuationen in den Transistorparametern wie der Schwellenspannung oder der Steilheit. Zusätzlich treten bei tiefen Temperaturen neue Effekte auf, die noch nicht vollständig erklärt werden können. Die Auswirkung der Nanoskalierung auf Transistoren wird anhand gemessener Transistorparameter und Kennlinien diskutiert.

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren
Vorheriges Kapitel Nanostrukturierung
Nächstes Kapitel Auf Nanostrukturen beruhende innovative elektronische Bauelemente
Literatur
1.
2.
Xu Q, Qian H, Yin H, Jia L, Ji H, Chen B, Zhu Y, Liu M, Han Z, Hu H, Qiu Y, Wu D (2001) The investigation of key technologies for Sub-0.1 μm CMOS device fabrication. IEEE Trans Electron Devices 48:1412–1420CrossRef
3.
Wann C, Assaderaghi F, Shi L, Chan K, Cohen S, Hovel H, Jenkins K, Le Y, Sadana D, Viswanathan R, Wind S, Taur Y (1997) High-performance 0,07-μm CMOS with 9.5-ps gate delay and 150 GHz fT. IEEE Electron Device Lett 18:625–627CrossRef
4.
Iwai H, Momose HS (1998) Ultra-thin gate oxides-performance and reliability. In: IEDM 1998 proceedings, S 163–166
5.
Johnson RW, Hultqvist A, Bent SF (2014) A brief review of atomic layer deposition: from fundamentals to applications. Mater Today 17(5):236–246CrossRef
6.
Leskelä M, Ritala M (2002) Atomic layer deposition (ALD): from precursors to thin film structures. Thin Solid Films 409:138–146CrossRef
7.
Ono M, Saito M, Yoshitomi T, Fiegna C, Ohguro T, Iwai H (1995) A 40 nm gate length n-MOSFET. IEEE Trans Electron Devices 42:1822–1830CrossRef
8.
Taur Y, Mil YJ, Frank DJ, Wong HS, Buchanan DA, Wind SJ, Rishton SA, Sai-Halasz GA, Nowak EJ (1995) CMOS scaling into the 21st century: 0.1 μm and beyond. IBM J Res Dev 39:24CrossRef
9.
Mikolajick T, Ryssel H (1993) Influence of statistical dopant fluctuations on MOS transistors with deep submicron channel lengths. Microelectron Eng 21:419CrossRef
10.
Mikolajick T, Ryssel H (1996) Der Einfluß statistischer Dotierungsschwankungen auf die minimale Kanallänge von Kurzkanal-MOS-Transistoren, ITG-Fachbericht 138: Mikroelektronik für die Informationstechnik, S 183. ISBN 3-8007-2171-6
11.
Horstmann J, Hilleringmann U, Goser K (1998) Matching analysis of deposition defined 50 nm MOSFETs. IEEE Trans Electron Devices 45:299CrossRef
12.
Lakshmikumar KR, Hadaway RA, Copeland MA (1986) Characterization and modeling of mismatch in MOS transistors for precision analog design. IEEE J Solid-State Circuits SC-21:1057CrossRef
13.
Stolk PA, Schmitz J (1997) Fluctuations in submicron CMOS transistors. In: Proceedings of the second workshop on innovative circuits and systems for nano electronics, Delft, 29–30.09.1997, S 21–24
14.
Wong HS, Taur Y (1993) Three-dimensional „atomistic“ simulation of discrete random dopant distribution effects in sub-0.1 μm MOSFET’s IEDM’93. In: Proceedings, digest technical papers, 05.–08.12, S 705
15.
Asenov A (1998) Random dopant threshold voltage fluctuations in 50 nm epitaxial channel MOSFETs: a 3D ‚atomistic‘ simulation study. In: ESSDERC’98, 08–10.09.1998, Bordeaux, S 300–303
16.
Skotnicki T (1996) Advanced architectures for 0.18–0.12 μm CMOS generations. In: Proceedings of the 26th European solid state device research conference ESSDERC’96, Bologna, 09–11.09.1996, S 505–514
17.
Hellberg PE, Zhang SL, Petersson CS (1997) Work function of boron-doped polycrystalline SixGe1-x films. IEEE Electron Device Lett 18:456CrossRef
18.
Wirth G (1999) Mesoscopic phenomena in nanometer scale MOS devices. Dissertation, Faculty of Electrical Engineering. University of Dortmund, Germany
19.
Wirth G, Hilleringmann U, Horstmann JT, Goser KF (1999) Mesoscopic transport phenomena in ultrashort channel MOSFETs. Solid-State Electron 43:1245CrossRef
20.
Wirth G, Hilleringmann U, Horstmann JT, Goser K (1999) Negative differential resistance in ultrashort bulk MOSFETs. In: Proceedings of the 25th annual conference of the IEEE industrial electronics society IECON’99, San Jose, 29.11–03.12.1999, S 29. ISBN 0-7803-5735-3
21.
Behammer D (1996) Niedertemperaturtechnologie zur Herstellung von skalierfähigen Si/SiGe/Si-Heterobipolartransistoren. Dissertation, University of Bochum
Metadaten
Titel
Erweiterung konventioneller Bauelemente durch Nanotechniken
verfasst von
Ulrich Hilleringmann
John T. Horstmann
Copyright-Jahr
2017
Verlag
Springer Berlin Heidelberg
Buch
Nanotechnologie und Nanoprozesse

Print ISBN: 978-3-662-48907-9

Electronic ISBN: 978-3-662-48908-6

Copyright-Jahr: 2017

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-662-48908-6_8

Neuer Inhalt

    Bildnachweise