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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 10/2006

01.10.2006 | Physics of Semiconductor Devices

Experimental study of temperature dependence of threshold characteristics in semiconductor VCSELs based on submonolayer InGaAs QDs

verfasst von: S. A. Blokhin, A. V. Sakharov, N. A. Maleev, A. G. Kuz’menkov, I. I. Novikov, N. Yu. Gordeev, Yu. M. Shernyakov, M. V. Maximov, V. M. Ustinov, A. R. Kovsh, S. Mikhrin, N. N. Ledentsov, G. Lee, J. Y. Chi

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 10/2006

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Metadaten
Titel
Experimental study of temperature dependence of threshold characteristics in semiconductor VCSELs based on submonolayer InGaAs QDs
verfasst von
S. A. Blokhin
A. V. Sakharov
N. A. Maleev
A. G. Kuz’menkov
I. I. Novikov
N. Yu. Gordeev
Yu. M. Shernyakov
M. V. Maximov
V. M. Ustinov
A. R. Kovsh
S. Mikhrin
N. N. Ledentsov
G. Lee
J. Y. Chi
Publikationsdatum
01.10.2006
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 10/2006
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782606100198

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