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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 9/2021

10.04.2021

Fabrication of high-conductivity RGO film at a temperature lower than 1500 ºC by electrical current

verfasst von: Meijuan Lv, Qinwei Wei, Shuo Cao, Jingdong Guo, Wencai Ren, Huiming Cheng

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 9/2021

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Abstract

Fabricating conductive graphene films by assembling graphene oxide (GO) sheets is highly desired for many applications, however a very high temperature around 3000 K is usually required to repair the sp2 structure for traditional thermal annealing. Here, an electric field assisted Joule heating method was developed to repair the sp2 structure in GO at a temperature lower than 1500 ºC. The resulting free-standing graphene film shows a high electrical conductivity (~ 1840 S/cm) and high C/O ratio (132), both of which are much higher than those of thermally reduced GO films under the same temperature. These findings provide new possibilities for fabricating high-quality graphene films in an energy-efficient and low-cost manner.
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Metadaten
Titel
Fabrication of high-conductivity RGO film at a temperature lower than 1500 ºC by electrical current
verfasst von
Meijuan Lv
Qinwei Wei
Shuo Cao
Jingdong Guo
Wencai Ren
Huiming Cheng
Publikationsdatum
10.04.2021
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 9/2021
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-021-05797-7

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