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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 17/2017

27.05.2017

Ferromagnetism of p-doped BN nanosheets prepared by red phosphorus assisted ball-milling exfoliated technique

verfasst von: Jiaxin Lv, Changlong Sun, Fukun Ma, Yongzhong Wu, Yongliang Shao

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 17/2017

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Abstract

Highlighted ferromagnetic interactions are required for two-dimensional (2D) metal-free semiconductor nanosheets. Here, we employ phosphorus doping method to introduce robust room-temperature ferromagnetism (FM) into boron nitride nanosheets (BNNSs). After phosphorus particle-assisted ball milling exfoliation and calcination, phosphorus atoms are forced into lattice structure, causing regional structural distortion and point defects. Thus, the saturation magnetization of the as-prepared phosphorus-doped BNNSs (P-BNNSs) can reach up to 0.143 emu g−1 and lead to a Curie temperature above 350 K. The controllably robust FM makes P-BNNSs the most promising 2D metal-free nanomaterials that can be utilized in spintronic devices.
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Metadaten
Titel
Ferromagnetism of p-doped BN nanosheets prepared by red phosphorus assisted ball-milling exfoliated technique
verfasst von
Jiaxin Lv
Changlong Sun
Fukun Ma
Yongzhong Wu
Yongliang Shao
Publikationsdatum
27.05.2017
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 17/2017
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-017-7149-2

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