24.08.2017 | S.I.: Computational Electronics of Emerging Memory Elements
General considerations and implications of isolated oxygen vacancies in oxide-based filamentary ReRAM devices
Erschienen in: Journal of Computational Electronics | Ausgabe 4/2017
EinloggenAktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.
Wählen Sie Textabschnitte aus um mit Künstlicher Intelligenz passenden Patente zu finden. powered by
Markieren Sie Textabschnitte, um KI-gestützt weitere passende Inhalte zu finden. powered by