Skip to main content
main-content

Tipp

Weitere Artikel dieser Ausgabe durch Wischen aufrufen

24.08.2017 | S.I.: Computational Electronics of Emerging Memory Elements | Ausgabe 4/2017

Journal of Computational Electronics 4/2017

General considerations and implications of isolated oxygen vacancies in oxide-based filamentary ReRAM devices

Zeitschrift:
Journal of Computational Electronics > Ausgabe 4/2017
Autor:
Sebastian Wicklein

Abstract

The ultimate challenge of filamentary oxide-based ReRAM devices for storage-class memory application is the control of oxygen vacancies. As a result of the specifications dictated by the performance–cost dependency, oxygen vacancies in the conductive filament are predominantly isolated. This paper tries to shed light on the properties and implications of isolated vacancies in conductive filaments of oxide-based ReRAM devices. The isolated defects are a consequence of the low power requirements and result in very unstable resistance states. To find viable engineering solutions, the physical origins of these unstable states need to be investigated. Some of the possible origins like isolated vacancies and the effect of excess charge in the switching layer are outlined in this paper.

Bitte loggen Sie sich ein, um Zugang zu diesem Inhalt zu erhalten

Sie möchten Zugang zu diesem Inhalt erhalten? Dann informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 69.000 Bücher
  • über 500 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Umwelt
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Testen Sie jetzt 30 Tage kostenlos.

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 50.000 Bücher
  • über 380 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Umwelt
  • Maschinenbau + Werkstoffe




Testen Sie jetzt 30 Tage kostenlos.

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 58.000 Bücher
  • über 300 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Testen Sie jetzt 30 Tage kostenlos.

Literatur
Über diesen Artikel

Weitere Artikel der Ausgabe 4/2017

Journal of Computational Electronics 4/2017 Zur Ausgabe

S.I.: Computational Electronics of Emerging Memory Elements

: a physical model for RRAM devices simulation

S.I.: Computational Electronics of Emerging Memory Elements

Stochastic circuit breaker network model for bipolar resistance switching memories

S.I. : Computational Electronics of Emerging Memory Elements

Toward reliable RRAM performance: macro- and micro-analysis of operation processes

S.I. : Computational Electronics of Emerging Memory Elements

Filament-to-dielectric band alignments in and resistive RAMs