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Journal of Computational Electronics
Erschienen in: Journal of Computational Electronics 4/2017

17.08.2017 | S.I.: Computational Electronics of Emerging Memory Elements

Grüneisen parameters and thermal conductivity in the phase change compound GeTe

verfasst von: Emanuele Bosoni, Gabriele Cesare Sosso, Marco Bernasconi

Erschienen in: Journal of Computational Electronics | Ausgabe 4/2017

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Abstract

Thermal conductivity is one of the key properties for the application of phase change materials in nonvolatile memories. In this work we compute the mode Grüneisen parameters of the phase change compound GeTe by means of density-functional perturbation theory. The Grüneisen parameters are then used to estimate the bulk thermal conductivity with a phenomenological formula (Slack in Solid State Phys 34:1–71, 1979). This estimate is compared with the full solution of the Boltzmann Transport Equation we obtained in a previous work within the same theoretical framework. This comparison allowed us to validate the phenomenological formula also for the prototypical phase change compound GeTe.
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Metadaten
Titel
Grüneisen parameters and thermal conductivity in the phase change compound GeTe
verfasst von
Emanuele Bosoni
Gabriele Cesare Sosso
Marco Bernasconi
Publikationsdatum
17.08.2017
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Computational Electronics / Ausgabe 4/2017
Print ISSN: 1569-8025
Elektronische ISSN: 1572-8137
DOI
https://doi.org/10.1007/s10825-017-1040-5

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