Bosch will sein Halbleitergeschäft mit Siliziumkarbid-Halbleitern ausbauen. In den USA plant Bosch, Teile des Geschäfts des Chipherstellers TSI Semiconductors zu übernehmen.
Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid
Bosch
Aufgrund der steigenden Nachfrage will Bosch sein Halbleitergeschäft weiter ausbauen. So sollen Teile des Geschäfts des US-amerikanischen Halbleiterherstellers TSI Semiconductors übernommen werden. Das Unternehmen aus Kalifornien ist ein Fertigungsbetrieb für anwendungsspezifische integrierte Schaltungen (ASICs). TSI Semiconductors entwickelt und produziert derzeit überwiegend Halbleiter auf 200-Millimeter-Siliziumwafern für Anwendungen in der Mobilitäts-, Telekommunikations-, Energie- und Biowissenschaftsbranche. Bosch will in den kommenden Jahren mehr als 1,39 Mrd. Euro in den Standort Roseville investieren und die Fertigungsstätten umrüsten. Der Umfang der geplanten Investitionen wird von den Fördermöglichkeiten des US-amerikanischen "Chips and Science Act" sowie den wirtschaftlichen Entwicklungsmöglichkeiten im Bundesstaat Kalifornien abhängen.
Der neue Standort in Roseville soll den internationalen Fertigungsverbund von Bosch für Halbleiter für die Elektromobilität stärken. Ab 2026 sollen dort auf Reinraumflächen von rund 10.000 qm die ersten Halbleiter auf 200-Millimeter-Wafern produziert werden, die auf dem Material Siliziumkarbid (SiC) basieren. "Mit dem Erwerb von TSI Semiconductors bauen wir in einem wichtigen Absatzmarkt Fertigungskapazitäten für SiC-Chips auf und stellen gleichzeitig auch unsere Halbleiterfertigung global auf. Die vorhandenen Reinraumflächen und das Fachpersonal in Roseville werden es uns ermöglichen, SiC-Chips für die Elektromobilität in noch größerem Maßstab zu fertigen", sagt Dr. Stefan Hartung, Vorsitzender der Bosch-Geschäftsführung.