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16.05.2023 | Halbleiter | Nachricht | Nachrichten

Infineon und Foxconn wollen SiC-Technologie vorantreiben

verfasst von: Patrick Schäfer

1 Min. Lesedauer

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Infineon und Hon Hai Technology (Foxconn) wollen eine langfristige Partnerschaft im Bereich Elektrofahrzeuge eingehen. Gemeinsam sollen SiC-Innovationen im Automotive-Bereich entwickelt werden.

Automotive-Halbleiter-Anbieter Infineon Technologies und der taiwanesische Elektronik-Hersteller Hon Hai Technology Group (Foxconn) wollen eine langfristige Partnerschaft im Bereich Elektroautos eingehen. Die Unternehmen planen die gemeinsame Entwicklung von effizienten EV-Lösungen. Das Memorandum of Understanding (MoU) konzentriert sich dabei auf Entwicklungen mit Siliziumkarbid (SiC). So wollen die Partner bei der Implementierung von SiC-Technologie in automobilen Anwendungen mit hoher Leistung wie Traktionswechselrichter, On-Board-Ladegeräte und DC-DC-Wandler zusammenarbeiten. 

"Die Automobilindustrie verändert sich erheblich. Das rasante Wachstum des Marktes für E-Autos und die damit verbundene Nachfrage nach mehr Reichweite und Leistung machen die Weiterentwicklung der Elektromobilität erforderlich", sagt Peter Schiefer, Präsident der Automotive-Division von Infineon. Die Kooperation soll auch zur Eröffnung eines gemeinsamen Applikationszentrums in Taiwan führen. Dieses Zentrum soll sich auf die Optimierung von Fahrzeuganwendungen wie beispielsweise Fahrerassistenzsysteme und Anwendungen für autonomes Fahren konzentrieren. Zusätzlich sollen auch Anwendungen im Bereich der Elektromobilität wie Batteriemanagementsysteme und Traktionswechselrichter entwickelt werden. 

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