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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 13/2018

26.04.2018

High pressure synthesis of multiple doped Mg2Si-based thermoelectric materials

verfasst von: Jiaming Wei, Bo Duan, Jialiang Li, Houjiang Yang, Gang Chen, Pengcheng Zhai

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 13/2018

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Abstract

High pressure high temperature technology is an effective route for preparing thermoelectric materials. In this work, a series of multi-doped Mg2.02−xAl x Si1−3yBi2ySb y (x = 0.03, 0.06, y = 0.005, 0.01) compounds have been prepared successfully by high pressure and high temperature method. The effects of post annealing on the microstructure and thermoelectric properties have been investigated. It is found that both electrical conductivity and thermal conductivity are significantly suppressed by annealing. Lower lattice thermal conductivities are observed in Mg1.96Al0.06Si1−3yBi2ySb y compounds, which should be attributed to the increased point-defects phonon scattering of Bi and Sb dopants induced by Al addition. Finally, a maximal figure of merit of 0.9 is achieved by Mg1.96Al0.06Si0.985Bi0.01Sb0.005 at 773 K.
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Metadaten
Titel
High pressure synthesis of multiple doped Mg2Si-based thermoelectric materials
verfasst von
Jiaming Wei
Bo Duan
Jialiang Li
Houjiang Yang
Gang Chen
Pengcheng Zhai
Publikationsdatum
26.04.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 13/2018
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-018-9168-z

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