Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Bücher
Zeitschriften
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
MTZ-Fachkongress

Antriebe und Energiesysteme von morgen


Austausch von Automobil- und Energiewirtschaft

Am 14./15. Mai geht es in Chemnitz um die Mobilitätswende durch Elektro- und Wasserstofffahrzeuge.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Erschienen in:
Perspectives on Electronic and Optoelectronic Materials Kapitel lesen Erstes Kapitel lesen

2007 | OriginalPaper | Buchkapitel

24. High-Temperature Electronic Materials: Silicon Carbide and Diamond

verfasst von : Magnus Willander, Prof., Milan Friesel, Ph.D., Qamar-ul Wahab, M.Phil., Boris Straumal, Prof.

Erschienen in: Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials

Verlag: Springer US

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Abstract

The physical and chemical properties of wide-band-gap semiconductors make these materials an ideal choice for device fabrication for applications in many different areas, e.g. light emitters, high-temperature and high-power electronics, high-power microwave devices, micro-electromechanical system (MEM) technology, and substrates for semiconductor preparation. These semiconductors have been recognized for several decades as being suitable for these applications, but until recently the low material quality has not allowed the fabrication of high-quality devices. In this chapter, we review the wide-band-gap semiconductors, silicon carbide and diamond.
Silicon carbide electronics is advancing from the research stage to commercial production. The commercial availability of single-crystal SiC substrates during the early 1990s gave rise to intense activity in the development of silicon carbide devices. The commercialization started with the release of blue light-emitting diode (LED). The recent release of high-power Schottky diodes was a further demonstration of the progress made towards defect-free SiC substrates.
Diamond has superior physical and chemical properties. Silicon-carbide- and diamond-based electronics are at different stages of development. The preparation of high-quality single-crystal substrates of wafer size has allowed recent significant progress in the fabrication of several types of devices, and the development has reached many important milestones. However, high-temperature studies are still scarce, and diamond-based electronics is still in its infancy.

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren
Vorheriges Kapitel Gallium Arsenide
Nächstes Kapitel Amorphous Semiconductors: Structure, Optical, and Electrical Properties
Literatur
24.1.
P. G. Nuedeck, R. S. Okojie, L-Y. Chien: Proc. IEEE 90, 1065–1076 (2002)
24.2.
P. L. Dreike, D. M. Fleetwood, D. B. King, D. C. Sprauer, T. E. Zipperian: IEEE Trans. A 17, 594–609 (1994)
24.3.
C. S. White, R. M. Nelms, R. W. Johnson, R. R. Grzybowski: High temperature electronic systems using silicon semiconductors, Industry Applications Conference, 1998. Thirty-Third IAS Annual Meeting, Proc. IEEE 2, 967–976 (1998)
24.4.
M. Willander, H. L. Hartnagel (Eds.): High Temperature Electronics (Chapman Hall, London 1997)
24.5.
S. Cristoloveanu, G. Reichert: High-Temp. Electron. Mater. Dev. Sensors Conf., 86–93 (1998)
24.6.
B. Gentinne, J. P. Eggermont, D. Flandre, J. P. Colinge: Mater. Sci. Eng. B 46, 1–7 (1997)
24.7.
L. Demeus, P. Delatte, V. Dessard, S. Adriaensen, A. Viviani, C. Renaux, D. Flandre: The art of high temperature FD-SOI CMOS, IEEE Cat. No. 99EX372, IEEE Conference Proceedings (1999), High Temperature Electronics, 1999. HITEN 99. The Third European Conference on 4-7 July 1999, pp. 97–99
24.8.
S. Cristoloveanu: Circ. Dev. Mag. 15, 26–32 (1999)
24.9.
J. C. Zolner: Solid-State Electron. 42, 2153–2156 (1998)
24.10.
P. Schmid, K. L. Lipka, J. Ibbetson, N. Nguyen, U. Mishra, L. Pond, C. Weitzel, E. Kohn: IEEE Electron. Dev. Lett. 19, 225–227 (1998)
24.11.
I. Vurgaftman, J. R. Meyer, L. R. Ram-Mohan: J. Appl. Phys. 89, 5815–5875 (2001)
24.12.
C. M. Carlin, J. K. Ray: The requirements for high-temperature electronics in a future high speed civil transport, Trans. 2nd Int. High-Temperature Electronics Conf., Charlotte, NC June 1994, ed. by D. B. King, F. V. Thome (Phillips Laboratory, Sandia National Laboratories, Wright Laboratory, 1994) I.19–I.26
24.13.
Z. D. Gastineau: High-temperature smart actuator development for aircraft turbine engines, Proc. 5th Int. High-Temperature electronics Conf., Albuquerque, NM, June 2000, pp. X.1.1-X1.5
24.14.
S. P. Rountree, S. Berjaoui, A. Tamporello, B. Vincent, T. Wiley: High-temperature measure while drilling: Systems and applications, proc. 5th Int. High-Temperature Electronics Conf., Albuquerque, NM, June 2000, pp. X.2.1-I.2.7
24.15.
M. Gerber, J. A. Ferreira, I. W. Hofsajer, N. Seliger: High temperature, high power density packaging for automotive applications, Power Electronics Specialist Conference, 15–19 June, 2003. PESC ʼ03. 2003 IEEE 34th Annual IEEE Vol 1, 425-430 (2003)
24.16.
S. Lande: Supply and demand for high temperature electronics, High Temperature Electronics, 1999. HITEN 99. The Third European Conference on 4–7 July, 1999, pp. 133–135
24.17.
J. B. Baliga: IEEE Electron. Dev. Lett. 10, 455–457 (1989)
24.18.
A. R. Powell, L. B. Rowland: Proc. IEEE 90, 942–955 (2002)
24.19.
A. Elasser, T. P. Chow: Proc. IEEE 90, 969–986 (2002)
24.20.
J. A. Cooper, A. Agarwal: Proc. IEEE 90, 956–968 (2002)
24.21.
R. J. Trew: Proc. IEEE 90, 1032–1047 (2002)
24.22.
J. A. Cooper: Mater. Sci. Forum 389-393, 15–20 (2002)
24.23.
J. F. H. Custers: Physika 18, 489–496 (1952)
24.24.
L. S. Pan, D. R. Kania (Eds.): Diamond: Electronic Properties and Applications (Kluwer Academic, Boston 1995)
24.25.
J. Walker: Rep. Prog. Phys. 42, 1605–1660 (1979)
24.26.
24.27.
J. Palmour, R. Singh, R. C. Glass, O. Kordina, C. H. Carter: (1997), Silicon carbide for power devices, Power Semiconductor Devices and ICs 1997, ISPSD ʼ97, 1997 IEEE International Symposium on, 26-29 May 1997, pp. 25-32
24.28.
A. Ellison: PhD Thesis; Disertation No. 599, Linköping Studies in Science and Technologies, Linköping University (1999)
24.29.
G. R. Fisher, P. Barnes: Philos. Mag. B61, 217–236 (1990)
24.30.
J. A. Lely: Ber. Dt. Keram. Ges. 32, 299 (1955)
24.31.
Y. M. Tariov, V. F. Tsvetkov: J. Cryst. Growth 43, 209–212 (1978)
24.32.
D. Nakamura, I. Gunjishima, S. Yamagushi, T. Ito, A. Okamoto, H. Kondo, S. Onda, K. Takatori: Nature 430, 1009–1012 (2004)
24.33.
P. G. Nuedeck, J. A. Powell: IEEE Electron. Dev. Lett. 15, 63–65 (1994)
24.34.
H. McD. Hobgood, M. F. Brady, M. R. Calus, J. R. Jenny, R. T. Leonard, D. P. Malta, S. G. Müller, A. R. Powell, V. F. Tsvetkov, R. C. Glass, C. H. Carter: Mater. Sci. Forum 457-460, 3–8 (2004)
24.35.
A. R. Powell, R. T. Leonard, M. F. Brady, S. G. Müller, V. F. Tsvetkov, R. Trussel, J. J. Sumakeris, H. McD. Hobgood, A. A. Burk, R. C. Glass, C. H. Carter: Mater. Sci. Forum 457-460, 41–46 (2004)
24.36.
R. C. Glass, L. O. Kjellberg, V. F. Tsvetkov, J. E. Sundgren, E. Janzén: J. Cryst. Growth 132, 504–512 (1993)
24.37.
J. P. Bergman, H. Lendermann, P. A. Nilsson, U. Lindefelt, P. Skytt: Mater. Sci. Forum 353-356, 299–302 (2001)
24.38.
J. R. Jenny, D. P. Malta, M. R. Calus, S. G. Müller, A. R. Powell, V. F. Tsvetkov, H. McD. Hobgood, R. C. Glass, C. H. Carter: Mater. Sci. Forum 457-460, 35–40 (2004)
24.39.
H. M. McGlothin, D. T. Morisette, J. A. Cooper, M. R. Melloch: 4 kV silicon carbide Schottky diodes for high-frequency switching applications, Dev. Res. Conf. Dig. 1999 57th Annual, 28-30 June 1999, Santa Barbara, California, USA, pp. 42-43
24.40.
S. Liu, J. Scofield: Thermally stable ohmic contacts to 6H- and 4H- p-type SiC, High Temperature Electronics Conference, HITEC 1998, 4th International, 14-18 June 1998, pp. 88–92
24.41.
Q. Wahab, A. Ellison, J. Zhang, U. Forsberg, E. A. Duranova, L. D. Madsen, E. Janzén: Mat. Sci. Forum 338-342, 1171–1174 (1999)
24.42.
R. Raghunathan, B. J. Baliga: IEEE Electron. Dev. Lett. 19, 71–73 (1998)
24.43.
L. Zheng, R. P. Joshi: J. Appl. Phys. 85, 3701–3707 (1999)
24.44.
K. J. Schoen, J. P. Henning, M. Woodall, J. A. Cooper, M. R. Melloch: IEEE Electron. Dev. Lett. 19, 97–99 (1998)
24.45.
Landolt-Börnstein: Condensed Matter Group III/41A2, Impurities and Defects in Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part α : Group IV Elements, ed. by W. Martienssen (Springer, Berlin, Heidelberg 2001)
24.46.
J. Walker: Rep. Prog. Phys. 42, 1605–1654 (1979)
24.47.
A. T. Collins, B. C. Lightowlers: The Properties of Diamond (Academic, London 1979) p. 87
24.48.
J. E. Field (Ed.): The Properties of Natural and Synthetic Diamond (Academic, New York 1992)
24.49.
M. H. Nazaré, A. J. Neves (Eds.): Properties, Growth and Applications of Diamond (INSPEC, London 2001)
24.50.
R. J. Trew, J. B. Yan, P. M. Mock: Proc. IEEE 79, 598–620 (1991)
24.51.
M. W. Geis, N. N. Efremow, D. D. Rathman: J. Vac. Sci. Technol. A6, 1953–1954 (1988)
24.52.
K. Shenai, R. S. Scott, B. J. Baliga: IEEE Trans. Electron. Dev. 36, 1811–1823 (1989)
24.53.
B. J. Baliga: J. Appl. Phys. 53, 1759 (1982)
24.54.
A. M. Zaitsev: Handbook of Diamond Technology (Trans Tech, Zurich 2000) p. 198
24.55.
S. Kumar, P. Ravindranathan, H. S. Dewan, R. Roy: Diamond Rel. Mater. 5, 1246–1248 (1996)
24.56.
Ch. Q. Sun, H. Xie, W. Zang, H. Ye, P. Hing: J. Phys. D: Appl. Phys. 33, 2196–2199 (2000)
24.57.
J. Chen, S. Z. Deng, J. Chen, Z. X. Yu, N. S. Su: Appl. Phys. Lett. 74, 3651 (1999)
24.58.
C. E. Jonhson, M. A. S. Hasting, W. A. Weimar: J. Mater. Res. 5, 2320–2325 (1990)
24.59.
Ch. Q. Sun, M. Alam: J. Electrochem. Soc. 139, 933–936 (1992)
24.60.
F. X. Lu, J. M. Liu, G. C. Chen, W. Z. Tang, C. M. Li, J. H. Song, Y. M. Tong: Diamond Rel. Mater. 13, 533–538 (2004)
24.61.
R. R. Nimmagadda, A. Joshi, W. L. Hsu: J. Mater. Res. 5, 2445–2450 (1990)
24.62.
F. K. de Theije, O. Roy, N. J. van der Laag, W. J. P. van Enckevort: Diamond Rel. Mater. 9, 929–934 (2000)
24.63.
F. K. de Theije, E. van Veenendaal, W. J. P. van Enckevort, E. Vlieg: Surface Sci. 492, 91–105 (2001)
24.64.
R. C. Burns, G. J. Davies: The Properties of Natural and Synthetic Diamond (Academic, London 1992)
24.65.
B. V. Spitsyn, L. L. Bouilov, B. V. Derjaguin: J. Cryst. Growth 52, 219–226 (1981)
24.66.
H. Okushi: Diamond Rel. Mater. 10, 281–288 (2001)
24.67.
M. Kamo, Y. Sato, S. Matsumoto, N. J. Setaka: J. Cryst. Growth 62, 642 (1983)
24.68.
Y. Saito, S. Matsuda, S. Nogita: J. Mater. Sci. Lett. 5, 565–568 (1986)
24.69.
B. Dischler, C. Wild: Low-Pressure Synthetic Diamond (Springer, Berlin Heidelberg New York 1998)
24.70.
P. W. May: Phil. Trans. R. Soc. Lond. A 358, 473 (2000)
24.71.
J. Isberg, J. Hammarberg, E. Johansson, T. Wikströ, D. J. Twitchen, A. J. Whitehead, S. E. Coe, G. A. Scarsbrook: Science 297, 1670–1672 (2002)
24.72.
J. Isberg, J. Hammarberg, D. J. Twitchen, A. J. Whitehead: Diamond Rel. Mater. 13, 320–324 (2004)
24.73.
B. R. Stoner, J. T. Glass: Appl. Phys. Lett. 60, 698–700 (1992)
24.74.
T. Tachibana, Y. Yokota, K. Nishimura, K. Miyata, K. Kobashi, Y. Shintani: Diamond Rel. Mater. 5, 197–199 (1996)
24.75.
H. Karawada, C. Wild, N. Herres, R. Locher, P. Koidl, H. Nagasawa: J. Appl. Phys. 81, 3490–3493 (1997)
24.76.
M. Oba, T. Sugino: Jpn. J. Appl. Phys. 39, L1213–L1215 (2000)
24.77.
S. Koizumi, T. Murakami, T. Inuzuka, K. Suzuki: Appl. Phys. Lett. 57, 563–565 (1990)
24.78.
S. D. Wolter, B. R. Stoner, J. T. Glass, P. J. Ellis, D. S. Buhaenko, C. E. Jenkins, P. Southworth: Appl. Phys. Lett. 62, 1215–1217 (1993)
24.79.
X. Jiang, C. P. Klages, R. Zachai, M. Hartweg, H. J. Füsser: Appl. Phys. Lett. 62, 3438–3440 (1993)
24.80.
C. Wild, R. Kohl, N. Herres, W. Müller-Sebert, P. Koidl: Diamond Rel. Mater. 3, 373–381 (1994)
24.81.
X. Jiang, C. P. Klages: New Diamond and Diamond-Like Films (Techna, Srl. 1995) pp. 23–30
24.82.
S. D. Wolter, T. H. Borst, A. Vescan, E. Kohn: Appl. Phys. Lett. 68, 3558 (1996)
24.83.
A. Flöter, H. Güttler, G. Schulz, D. Steinbach, C. Lutz-Elsner, R. Zachai, A. Bergmaier, G. Dollinger: Diamond Rel. Mater. 7, 283–288 (1998)
24.84.
X. Jiang, K. Schiffmann, C. P. Klages, D. Wittorf, C. L. Jia, K. Urban, W. Jäger: J. Appl. Phys. 83, 2511–2518 (1998)
24.85.
P. Gluche, M. Adamschik, A. Vescan, W. Ebert, F. Szücs, H. J. Fecht, A. Flöter, R. Zachai, E. Kohn: Diamond Rel. Mater. 7, 779–782 (1998)
24.86.
P. Gluche, M. Adamschik: Diamond Rel. Mater. 8, 934–940 (1999)
24.87.
E. Kohn, A. Aleksov, A. Denisenko, P. Schmid, M. Adamschick, J. Kusterer, S. Ertl, K. Janischowsky, A. Flöter, W. Ebert: Diamond and Other Carbon Materials, Diamond in electronic applications, CIMTEC 2002 – 3rd Forum on New Materials 3rd International Conference, Florence 2002, ed. by P. Vincenzini, P. Ascarelli (Techna, 2003) 205–216
24.88.
T. Tsubota, M. Ohta, K. Kusakabe, S. Morooka, M. Watanabe, H. Maeda: Diamond Rel. Mater. 9, 1380–1387 (2000)
24.89.
K. Ohtsuka, K. Suzuki, A. Sawabe, T. Inuzuka: Jpn. J. Appl. Phys. 35, 1072 (1996)
24.90.
M. Schreck, H. Roll, B. Stritzker: Appl. Phys. Lett. 74, 650–652 (1999)
24.91.
M. Schreck, A. Schury, F. Hörmann, H. Roll, B. Stritzger: J. Appl. Phys. 91, 676–685 (2002)
24.92.
M. Kubovic, A. Aleksov, M. Schreck, T. Bauer, B. Strizker, E. Kohn: Diamond Rel. Mater. 12, 403–407 (2003)
24.93.
C. Bednarski, Z. Dai, A. P. Li, B. Golding: Diamond Rel. Mater. 12, 241–245 (2003)
24.94.
Z. Dai, C. Bednarski-Meinke, B. Golding: Diamond Rel. Mater. 13, 552–556 (2004)
24.95.
S. Gsell, T. Bauer, J. Goldfuss, M. Schreck, B. Stritzker: Appl. Phys. Lett. 84, 4541–4543 (2004)
24.96.
24.97.
M. Mazzola: SiC high-temperatuer wideband gap mateials, Combat hybrid power system component technologies (National Academic, Washington D.C. 2001) pp. 31–40
24.98.
W. Wondrak, E. Niemann: Proc. IEEE International Symposium (ISIE ʼ98), 1998, p. 153
24.99.
T. Jang, L. M. Porter: Electrical characteristics of tantalum and tantalum carbide Schottky diodes on n- and p-type silicon carbide as a function of temperature, Proc. 4th International High Temperature Electronics Conference (HITEC 98) 4, 280–286 (1998) Cat. No. 98EX145
24.100.
Y. Sugawara, D. Takayama, K. Asano, R. Singh, J. Palmour, T. Hayashi: Int. Symp. on Power Semiconductor Devices & ICs, Osaka, Japan 13, 27–30 (2001)
24.101.
R. Singh, J. A. Jr. Cooper, R. Melloch, T. P. Chow, J. Palmour: IEEE Trans. Electron. Dev. 49, 665 (2002)
24.102.
R. Singh, K. G. Irvine, D. Cappel, T. James, A. Hefner, J. W. Palmour: IEEE Trans. Electron. Dev. 49, 2308 (2002)
24.103.
R. Singh, D. C. Capell, K. G. Irvine, J. T. Richmond, J. W. Palmour: Electron. Lett. 38, 1738 (2002)
24.104.
B. M. Wilamowski: Solid State Electron. 26, 491 (1983)
24.105.
B. J. Baliga: IEEE Elect. Dev. Lett. 5, 194 (1984)
24.106.
C. M. Zetterling, F. Dahlquist, N. Lundberg, M. Ostling: Solid State Electron. 42, 1757 (1998)
24.107.
F. Dahlquist, C. M. Zetterling, M. Ostling, K. Rutner: Mater. Sci. Forum 264-268, 1061 (1998)
24.108.
F. Dahlquist, H. Lendenmann, M. Ostling: Mater. Sci. Forum 389-393, 1129 (2002)
24.109.
D. Nakamura, I. Gunjishima, S. Yamagushi, T. Ito, A. Okamoto, H. Kondo, S. Onda, K. Takatori: Nature 430, 1009–1012 (2004)
24.110.
R. C. Clarke, A. W. Morse, P. Esker, W. R. Curtice: Proc. IEEE High Performance Devices, 2000 IEEE/Cornell Conference, 141–143 (2000)
24.111.
S. T. Sheppard, R. P. Smith, W. L. Pribble, Z. Ring, T. Smith, S. T. Allen, J. Milligan, J. W. Palmour: Proc. Device Research Conference, 60th DRC. Conference Digest, 175–178 (2002)
24.112.
S. T. Allen, W. L. Pribble, R. A. Sadler, T. S. Alcorn, Z. Ring, J. W. Palmour: IEEE MTT-S Int. 1, 321–324 (1999)
24.113.
F. Villard, J. P. Prigent, E. Morvan, C. Brylinski, F. Temcamani, P. Pouvil: IEEE Trans. Microw. Theory Technol. 51, 1129 (2003)
24.114.
J. B. Casady, E. D. Luckowski, R. W. Johnsson, J. Crofton, J. R. Williams: IEEE Electronic Components and Technology Conference 45, 261–265 (1995)
24.115.
A. Agarwal, C. Capell, B. Phan, J. Miligan, J. W. Palmour, J. Stambaugh, H. Bartlow, K. Brewer: IEEE High Performance Devices, 2002, Proceedings, IEEE Lester Eastman Conference, p. 41
24.116.
B. J. Baliga: Proc. 6th Int. Conf. on SiC & Related Mat. Ser. 142, 1–6 (1996)
24.117.
K. Asano, Y. Sugawara, T. Hayashi, S. Ryu, R. Singh, J. W. Palmour, D. Takayama: IEEE Power Semiconductor Devices and ICs, 2002. Proceedings of the 14th International Symposium, p. 61
24.118.
J. H. Zhao, X. Li, K. Tone, P. Alexandrov, M. Pan, M. Weiner: IEEE Semiconductor Device Research Symposium, 2001 International, p. 564
24.119.
C. J. Scozzie, C. Wesley, J. M. McGarrity, F. B. Mclean: Reliability Physics Symposium, 1994. 32nd Annual Proceedings., IEEE International, p. 351
24.120.
K. Asano, Y. Sugawara, S. Ryu, J. W. Palmour, T. Hayashi, D. Takayama: Proc. 13th Int. Symp. Power Semiconductor Devices and ICs, Osaka, Japan, 2001
24.121.
N. S. Rebello, F. S. Shoucair, J. W. Palmour: IEEE Proc. Circuits Dev. Syst. 143, 115 (1996)
24.122.
T. Billon, T. Ouisse, P. Lassagne, C. Jassaud, J. L. Ponthenier, L. Baud, N. Becourt, P. Morfouli: Electron. Lett. 30, 170 (1994)
24.123.
S. H. Ryu, A. Agarwal, J. Richmond, J. Palmour, N. Saks, J. Williams: IEEE-Power Semiconductor Devices and ICs, 2002. Proceedings of the 14th International Symposium, 65–68 (2002)
24.124.
J. B. Casady, A. Agarwal, L. B. Rowland, S. Shshadri, R. R. Siergiej, D. C. Sheridan, S. Mani, P. A. Sanger, C. D. Brandt: IEEE-Compound Semiconductors, International Symposium, 1998, p. 359
24.125.
J. Spitz, M. R. Melloch, J. A. Jr. Cooper, M. A. Capano: IEEE Electron. Dev. Lett. 19, 100 (1998)
24.126.
I. A. Khan, J. A. Jr. Cooper, M. Capano, T. Isaacs-Smith, J. R. Williams: IEEE – Power Semiconductor Devices and ICs, [2002] Proceedings of the 14th International Symposium, 157–160 (2002)
24.127.
R. K. Chilukuri, M. Praveen, B. J. Baliga: IEEE Trans. Ind. Appl. 35, 1458 (1999)
24.128.
G. I. Gudjonsson, H. O. Olafsson, E. O. Sveinbjornsson: Mater. Sci. Forum 457-460, 1425–1428 (2004)
24.129.
H. O. Olafsson, G. I. Gudjonsson, P. O. Nillson, E. O. Sveinbjornsson, H. Zirath, R. Rodle, R. Jos: Electron. Lett. 40, 508–509 (2004)
24.130.
L. A. Lipkin, J. W. Palmour: Mater. Sci. Forum 338, 1093 (2000)
24.131.
R. C. Clarke, C. D. Brandt, S. Sriram, R. R. Siergiej, A. W. Morse, A. Agarwal, L. S. Chen, V. Balakrishna, A. A. Burk: Proc. IEEE High Temperature Electronic Materials, Devices and Sensors Conference, 1998, p. 18
24.132.
S. H. Ryu, A. Agarwal, R. Singh, J. W. Palmour: IEEE Trans. Electron. Dev. Lett. 22, 124 (2001)
24.133.
S. F. Kozlov: IEEE Trans. Nucl. Sci 222, 160 (1975)
24.134.
S. F. Kozlov, E. A. Komorova, Y. A. Kuznetsov, Y. A. Salikov, V. I. Redko, V. R. Grinberg, M. L. Meilman: IEEE Trans. Nucl. Sci 24, 235–237 (1977)
24.135.
M. Krammer, W. Adam, E. Berdermann, P. Bergonzo, G. Bertuccio, F. Bogani, E. Borchi, A. Brambilla, M. Bruzzi, C. Colledani: Diamond Rel. Mater. 10, 1778–1782 (2001)
24.136.
A. Mainwood: Semicond. Sci. Technol. 15, 55 (2000)
24.137.
M. Adamschik, M. Müller, P. Gluche, A. Flöter, W. Limmer, R. Sauer, E. Kohn: Diamond Rel. Mater. 10, 1670–1675 (2001)
24.138.
A. Denisenko, A. Aleksov, E. Kohn: Diamond Rel. Mater. 10, 667–672 (2001)
24.139.
M. D. Whitfield, S. P. Lansley, O. Gaudin, R. D. McKeag, N. Rizvi, R. B. Jackman: Diamond Rel. Mater. 10, 715–721 (2001)
24.140.
J. Gondolek, J. Kocol: Diamond Rel. Mater. 10, 1511–1514 (2001)
24.141.
P. R. Chalker, T. B. Joyce, C. Johnston: Diamond Rel. Mater. 8, 309–313 (1999)
24.142.
E. Kohn, M. Adamschik, P. Schmid, S. Ertl, A. Flöter: Diamond Rel. Mater. 10, 1684–1691 (2001)
24.143.
T. H. Borst, O. Weis: Diamond Rel. Mater. 4, 948–953 (1995)
24.144.
B. A. Fox, M. L. Hartsell, D. M. Malta, H. A. Wynands, G. J. Tessmer, D. L. Dreifus: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 416, 319 (1996)
24.145.
S. Yamanaka, H. Watanabe, S. Masai, D. Takeuchi, H. Okushi, K. Kajimura: Jpn. J. Appl. Phys. 37, 1129 (1998)
24.146.
D. Saito, E. Tsutsumi, N. Ishigaki, T. Tashiro, T. Kimura, S. Yugo: Diamond Relat. Mater. 11, 1804–1807 (2002)
24.147.
A. Aleksov, A. Denisenko, M. Kunze, A. Vescan, A. Bergmeir, G. Dollinger, W. Ebert, E. Kohn: Semicond. Sci. Technol. 18, S59–S66 (2003)
24.148.
M. I. Landstrass, K. V. Ravi: Appl. Phys. Lett. 55, 975–977 (1989)
24.149.
M. I. Landstrass, K. V. Ravi: Appl. Phys. Lett. 55, 1391–1393 (1989)
24.150.
S. Koizumi, K. Watanabe, M. Hasegawa, H. Kanda: Diamond Rel. Mater. 11, 307–311 (2002)
24.151.
M. Katagiri, J. Isoya, S. Koizumi, H. Kanda: Appl. Phys. Lett. 85, 6365–6367 (2004)
24.152.
E. Gheeraerf, A. Casanova, A. Tajani, A. Deneuville, E. Bustarret, J. A. Garrido, C. E. Nebel, M. Stutzmann: Diamond Rel. Mater. 11, 289–295 (2000)
24.153.
J. F. Prins: Diamond Rel. Mater. 10, 1756–1764 (2001)
24.154.
H. Sternschulte, M. Schreck, B. Strizker, A. Bergmaier, G. Dollinger: Diamond Rel. Mater. 9, 1046–1050 (2000)
24.155.
R. Kalish: Diamond Rel. Mater. 10, 1749–1755 (2001)
24.156.
A. Aleksov, A. Denisenko, E. Kohn: Solid-State Electron. 44, 369–375 (2000)
24.157.
P. Gluche, A. Vescan, W. Ebert, M. Pitter, E. Kohn: Processing of High Temperature Stable Contacts to Single Crystal Diamond, Transient Thermal Processing Techniques in Electronic Materials, Proc. 12th TMS Annual Meeting, Anaheim 1996, ed. by N. M. Ravindra, R. K. Singh (Warrendale, PA 1996) 107–110
24.158.
A. Vescan, I. Daumiller, P. Gluche, W. Ebert, E. Kohn: IEEE Electron. Dev. Lett. 18, 556–558 (1997)
24.159.
A. Vescan, I. Daumiller, P. Gluche, W. Ebert, E. Kohn: Diamond Relat. Mater. 7, 581–584 (1998)
24.160.
J. A. Garrido, C. E. Nebel, R. Todt, G. Rösel, M.-C. Amann, M. Stutzmann, E. Snidero, P. Bergonzo: Appl. Phys. Lett. 82, 988–990 (2003)
24.161.
T. Maki, S. Shikama, M. Komori, Y. Sakagushi, K. Sakura, T. Kobayashi: Jpn. J. Appl. Phys. 31, 1446–1449 (1992)
24.162.
H. Karawada: Surface Sci. Rep. 26, 205–259 (1996)
24.163.
K. Hayashi, S. Yamanaka, H. Okushi, K. Kajimura: Appl. Phys. Lett. 68, 376–378 (1996)
24.164.
K. Hayashi, S. Yamanaka, H. Watanabe, T. Sekiguchi, H. Okushi, K. Kajimura: J. Appl. Phys. 81, 744–753 (1997)
24.165.
J. Ristein, F. Maier, M. Riedel, J. B. Cui, L. Ley: Phys. Status Solidi A 181, 65 (2000)
24.166.
F. Maier, M. Riedel, B. Mantel, J. Ristein, L. Ley: Phys. Rev. Lett. 85, 3472–3475 (2000)
24.167.
B. F. Mantel, M. Stammer, J. Ristein, L. Ley: Diamond Rel. Mater. 10, 429–433 (2001)
24.168.
J. Ristein, F. Maier, M. Riedel, M. Stammer, L. Ley: Diamond Rel. Mater. 10, 416–422 (2001)
24.169.
T. Yamada, A. Kojima, A. Sawaba, K. Suzuki: Passivation of hydrogen terminated diamond surface conductive layer using hydrogenated amorphous carbon, Diamond Rel. Mater. 13, 776–779 (2004)
24.170.
Y. Otsuka, S. Suzuki, S. Shikama, T. Maki, T. Kobayashi: Jpn. J. Appl. Phys. 34, 551 (1995)
24.171.
O. A. Williams, R. B. Jackman, C. Nebel, J. S. Foord: Diamond Rel. Mater. 11, 396–399 (2002)
24.172.
B. A. Fox, M. L. Hartsell, D. M. Malta, H. A. Wynands, C.-T. Kao, L. S. Plano, G. J. Tessmer, R. B. Henard, J. S. Holmes, A. J. Tessmer, D. L. Dreifus: Diamond Rel. Mater. 4, 622–627 (1995)
24.173.
K. Tsugawa, H. Kitatani, A. Noda, A. Hokazono, K. Hirose, M. Tajima: Diamond Rel. Mater. 8, 927–933 (1999)
24.174.
A. Aleksov, M. Kubovic, N. Kaeb, U. Spitzberg, A. Bergmaier, G. Dollinger, Th. Bauer, M. Schreck, B. Stritzker, E. Kohn: Diamond Rel. Mat. 12, 391–398 (2003)
24.175.
H. Ishizaka, H. Umezawa, H. Taniuchi, T. Arima, N. Fujihara, M. Tachiki, H. Kawarada: Diamond Rel. Mat. 11, 378–381 (2002)
24.176.
P. Gluche, A. Aleksov, V. Vescan, W. Ebert, E. Kohn: IEEE Electron. Dev. Lett. 18, 547–549 (1997)
24.177.
H. Taniuchi, H. Umezawa, T. Arima, M. Tachiki, H. Kawarada: IEEE Electron. Dev. Lett. 22, 390–392 (2001)
24.178.
A. Aleksov, A. Denisenko, U. Spitzberg, T. Jenkins, W. Ebert, E. Kohn: Diamond Rel. Mat. 11, 382–386 (2002)
24.179.
A. Aleksov, M. Kubovic, M. Kasu, P. Schmid, D. Grobe, S. Ertl, M. Schreck, B. Stritzker, E. Kohn: Diamond Rel. Mater. 13, 233–240 (2004)
24.180.
M. Kasu, M. Kubovic, A. Aleksov, N. Teofilov, Y. Taniyasu, R. Sauer, E. Kohn, T. Makimoto, N. Kobayashi: Diamond Rel. Mater. 13, 226–232 (2004)
24.181.
M. Kunze, A. Vescan, G. Dollinger, A. Bergmaier, E. Kohn: Carbon 37, 787–791 (1999)
24.182.
A. Aleksov, A. Vescan, M. Kunze, P. Gluche, W. Ebert, E. Kohn, A. Bergmeier, G. Dollinger: Diamond Rel. Mater. 8, 941–945 (1999)
24.183.
A. Vescan, P. Gluche, W. Ebert, E. Kohn: IEEE Electron Dev. Lett. 18, 222–224 (1997)
24.184.
W. P. Kang, T. S. Fischer, J. L. Davidson: New Diamond Frontier Carbon Technol. 11, 129 (2001)
24.185.
J. L. Davidson, W. P. Kang, A. Wisitsora-At: Diamond Rel. Mater. 12, 429–433 (2003)
24.186.
D. J. Twitchen, C. S. J. Pickles, S. E. Coe, R. S. Sussmann, C. E. Hall: Diamond Rel. Mater. 10, 731–735 (2001)
24.187.
W. Ebert, M. Adamschik, P. Gluche, A. Flöter, E. Kohn: Diamond Rel. Mater. 8, 1875–1877 (1999)
24.188.
E. Kohn, M. Adamschik, P. Schmid, S. Ertl, A. Flöter: Diamond Rel. Mater. 10, 1684–1691 (2001)
24.189.
E. Worner: Low Pressure Synthetic Diamond (Springer, Berlin Heidelberg New York 1998) p. 137
24.190.
M. Seelmann-Eggebert, P. Meisen, F. Schaudel, P. Koidl, A. Vescan, H. Leier: Diamond Rel. Mater. 10, 744–749 (2001)
24.191.
Y. F. Wu, B. P. Keller, S. Keller: IEICE Trans. Electron. E82(11), 1895 (1999)
24.192.
C. E. Weitzel: IOP Conf. Series 142, 765 (1996)
24.193.
B. C. Djubua, N. N. Chubun: IEEE Trans. Electron. Dev. 38, 2314 (1991)
24.194.
J. Robertson: J. Vac. Sci. Technol. B 17, 659–665 (1999)
24.195.
J. B. Cui, M. Stammler, J. Ristein, L. Ley: J. Appl. Phys. 88, 3667–3673 (2000)
24.196.
W. Choi, Y. D. Kim, Y. Iseri, N. Nomura, H. Tomokage: Diamond Rel. Mat. 10, 863–867 (2001)
24.197.
K. M. Song, J. Y. Shim, H. K. Baik: Diamond Rel. Mat. 11, 185–190 (2002)
24.198.
P. H. Cutler, N. M. Miskovsky, P. B. Lerner, M. S. Ching: Appl. Surf. Sci. 146, 126–133 (1999)
24.199.
X.-Z. Ding, B. K. Tay, S. P. Lau, J. R. Shi, Y. J. Li, Z. Sun, X. Shi, H. S. Tan: J. Appl. Phys. 88, 5087–5092 (2000)
24.200.
J. van der Weide, R. J. Nemanich: J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1940–1943 (1992)
24.201.
T. S. Fischer, D. G. Walker: J. Heat Trans. 124, 954–962 (2002)
24.202.
F. A. M. Köck, J. M. Garguilo, B. Brown, R. J. Nemanich: Diamond Rel. Mater. 11, 774 (2002)
24.203.
S. H. Shin, T. S. Fisher, D. G. Walker, A. M. Strauss, W. P. Kang, J. L. Davidson: J. Vac. Sci. Technol. B 21, 587–592 (2003)
24.204.
J. L. Davidson, W. Kang, K. Holmes, A. Wisitsora-At, P. Taylor, V. Pulugurta, R. Venkatasubramanian, F. Wells: Diamond Rel. Mater. 10, 1736–1742 (2001)
24.205.
V. K. Dimitrev, V. N. Inkin, G. G. Kirpilenko, B. G. Potapov, E. A. Ylyichev, E. Y. Shelukhin: Diamond Rel. Mater. 10, 1007–1010 (2001)
Metadaten
Titel
High-Temperature Electronic Materials: Silicon Carbide and Diamond
verfasst von
Magnus Willander, Prof.
Milan Friesel, Ph.D.
Qamar-ul Wahab, M.Phil.
Boris Straumal, Prof.
Copyright-Jahr
2007
Verlag
Springer US
Buch
Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials

Print ISBN: 978-0-387-26059-4

Electronic ISBN: 978-0-387-29185-7

Copyright-Jahr: 2007

DOI
https://doi.org/10.1007/978-0-387-29185-7_24

Neuer Inhalt

    Bildnachweise