Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Bücher
Zeitschriften
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
SLX-Digitalkonferenz: Zukunftswerkstatt 2024

Mehr Umsatz mit Top-Kontakten

Am 7. Mai erfahren Sie, wie Vertriebsteams Leadgenerierung, Leadnurturing und Leadstrategien effizient steuern können.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 13/2019

04.06.2019

Improved resistive switching characteristics of atomic layer deposited Al2O3/La2O3/Al2O3 multi-stacked films with Al+ implantation

verfasst von: Xing Wang, Hongxia Liu, Lu Zhao, Yongte Wang, Shulong Wang

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 13/2019

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Abstract

Resistive random access memory (RRAM) devices were designed using Al2O3/La2O3/Al2O3 multi-stacked films grown by atomic layer deposition as functional layers. The impact of Al+ ions implantation on the resistive switching performances of the RRAM devices was investigated. Compared with the control sample without Al+ implantation, forming-free operation and larger ON/OFF resistance ratio were achieved in the Al+ implanted RRAM device. Besides, the resistive switching stability and electrical uniformity of the implanted device were enhanced. The enhanced performances of the Al+ implanted RRAM device were deduced by the improvement in the formation and disruption of conducting filaments in the Al2O3/La2O3/Al2O3 multi-stacked films.
Vorheriger Artikel Modulations of physio-chemical and electronic properties of metalorganic KHO single crystals through Co(OH)2 nanoparticles doping
Nächster Artikel Self-cleaning and weather resistance of nano-SnO2/modified silicone oil coating for photovoltaic (PV) glass applications

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren
Literatur
1.
H.S.P. Wong, H.Y. Lee, S. Yu, Y.S. Chen, Y. Wu, P.S. Chen, B. Lee, F.T. Chen, M.J. Tsai, Proc. IEEE 100, 1951 (2012)CrossRef
2.
S. Dueñas, H. Castán, H. García, G.Ó. Ossorio, L.A. Domínguez, E. Miranda, IEEE Electron Device L. 38, 1216 (2017)CrossRef
3.
4.
T.D. Dongale, A.A. Bagade, S.V. Mohite, A.D. Rananavare, M.K. Orlowski, R.K. Kamat, K.Y. Rajpure, J. Mater. Sci. Mater. Electron. 29, 3231 (2018)CrossRef
5.
S. Nau, C. Wolf, K. Popovic, A. Blümel, F. Santoni, A. Gagliardi, A.D. Carlo, S. Sax, E.J.W. List-Kratochvil, Adv. Electron. Mater. 1, 1400003 (2015)CrossRef
6.
X.B. Yan, Y.C. Li, J.H. Zhao, Y. Li, G. Bai, S.Q. Zhu, Appl. Phys. Lett. 108, 033108 (2016)CrossRef
7.
C. Wiemer, L. Lamagna, M. Fanciulli, Semicond. Sci. Technol. 27, 074013 (2012)CrossRef
8.
C. Yang, H.Q. Fan, S.J. Qiu, Y.X. Xi, Y.F. Fu, J. Non-Cryst. Solids 355, 33 (2009)CrossRef
9.
M. Ismail, C.Y. Huang, D. Panda, C.J. Hung, T.L. Tsai, J.H. Jieng, C.A. Lin, U. Chand, A.M. Rana, E. Ahmed, I. Talib, M.Y. Nadeem, T.Y. Tseng, Nanoscale Res. Lett. 9, 45 (2014)CrossRef
10.
T. Zhang, X. Ou, W.F. Zhang, J. Yin, Y.D. Xia, Z.G. Liu, J. Phys. D Appl. Phys. 47, 065302 (2014)CrossRef
11.
H.B. Zhao, H.L. Tu, F. Wei, Y.H. Xiong, J. Du, IEEE J. Electron. Device 3, 254 (2015)CrossRef
12.
K.C. Liu, W.H. Tzeng, K.M. Chang, J.J. Huang, Y.J. Lee, P.H. Yeh, P.S. Chen, H.Y. Lee, F. Chen, M.J. Tsai, Thin Solid Films 520, 1246 (2011)CrossRef
13.
S.F. Wang, C.C. Hsu, J.P. Chu, Y.X. Liu, L.W. Chen, J. Electron. Mater. 46, 1488 (2017)CrossRef
14.
H.B. Zhao, H.L. Tu, F. Wei, Y.H. Xiong, X.Q. Zhang, J. Du, Phys. Status Solidi-R. 11, 1005 (2013)CrossRef
15.
L. Calmels, P.E. Coulon, S. Schamm-Chardon, Appl. Phys. Lett. 98, 243116 (2011)CrossRef
16.
C.V. Ramana, R.S. Vemuri, V.V. Kaichev, V.A. Kochubey, A.A. Saraev, V.V. Atuchin, ACS Appl. Mater. Inter. 3, 4370 (2011)CrossRef
17.
L. Lamagna, C. Wiemer, M. Perego, S.N. Volkos, S. Baldovino, D. Tsoutsou, S. Schamm-Chardon, P.E. Coulon, M. Fanciulli, J. Appl. Phys. 108, 084108 (2010)CrossRef
18.
E. Breckenfeld, R.B. Wilson, L.W. Martin, Appl. Phys. Lett. 103, 082901 (2013)CrossRef
19.
H.J. Kim, S.Y. Cha, D.J. Choi, Mater. Sci. Semicon. Proc. 13, 9 (2010)CrossRef
20.
21.
22.
H. Arimura, S.L. Brown, A. Callegari, A. Kellock, J. Bruley, M. Copel, H. Watanabe, V. Narayanan, T. Ando, IEEE Electron Device L 32, 288 (2011)CrossRef
23.
H.S. Kang, M.S.P. Reddy, D.S. Kim, K.W. Kim, J.B. Ha, Y.S. Lee, H.C. Choi, J.H. Lee, J. Phys. D Appl. Phys. 46, 155101 (2013)CrossRef
24.
Z. Fang, H.Y. Yu, X. Li, N. Singh, G.Q. Lo, D.L. Kwong, IEEE Electron Device L 32, 566 (2011)CrossRef
25.
J.W. Seo, S.J. Baik, S.J. Kang, Y.H. Hong, J.H. Yang, L. Fang, K.S. Lim, Appl. Phys. Lett. 96, 053504 (2010)CrossRef
26.
S. Seo, M.J. Lee, D.H. Seo, E.J. Jeoung, D.S. Suh, Y.S. Joung, I.K. Yoo, I.R. Hwang, S.H. Kim, I.S. Byun, J.S. Kim, J.S. Choi, B.H. Park, Appl. Phys. Lett. 85, 23 (2004)
27.
Q. Liu, W.H. Guan, S.B. Long, R. Jia, M. Liu, J.N. Chen, Appl. Phys. Lett. 92, 012117 (2008)CrossRef
28.
Y. Sharma, S.P. Pavunny, E. Fachini, J.F. Scott, R.S. Katiyar, J. Appl. Phys. 118, 094506 (2015)CrossRef
29.
J.J. Wu, C. Ye, J.Q. Zhang, T.F. Deng, P. He, H. Wang, Mater. Sci. Semicon. Proc. 43, 144 (2016)CrossRef
30.
31.
L. Zhao, S. Clima, B. Magyari-Köpe, M. Jurczak, Y. Nishi, Appl. Phys. Lett. 107, 013504 (2015)CrossRef
Metadaten
Titel
Improved resistive switching characteristics of atomic layer deposited Al2O3/La2O3/Al2O3 multi-stacked films with Al+ implantation
verfasst von
Xing Wang
Hongxia Liu
Lu Zhao
Yongte Wang
Shulong Wang
Publikationsdatum
04.06.2019
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 13/2019
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-019-01618-0

Weitere Artikel der Ausgabe 13/2019

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 13/2019 Zur Ausgabe

OriginalPaper

A comparative study on the electrical and dielectric properties of Al/Cd-doped ZnO/p-Si structures

OriginalPaper

An underlying intercalation ion for fast-switching and stable electrochromism

OriginalPaper

Effects of sputtering power of SnO2 electron selective layer on perovskite solar cells

Original Research

Room temperature magnetocaloric effect and critical behavior in La0.67Ca0.23Sr0.1Mn0.98Ni0.02O3 oxide

OriginalPaper

Nonlinear optical and dielectric properties of TiO2 nanoparticles incorporated PEO/PVP blend matrix based multifunctional polymer nanocomposites

OriginalPaper

Solution-processable (Pc′)Eu(Pc′)Eu[TP(OH)PP]/rGO bilayer heterojunction organic transistors with exceptional excellent ambipolar performance

Neuer Inhalt

    Bildnachweise