Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Bücher
Zeitschriften
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
MTZ-Fachkongress

Antriebe und Energiesysteme von morgen


Austausch von Automobil- und Energiewirtschaft

Am 14./15. Mai geht es in Chemnitz um die Mobilitätswende durch Elektro- und Wasserstofffahrzeuge.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 3/2013

01.03.2013 | Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures

Influence of doping with third group oxides on properties of zinc oxide thin films

verfasst von: Sowmya Palimar, Kasturi V. Bangera, G. K. Shivakumar

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 3/2013

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …
Vorheriger Artikel Optimization of the deposition and annealing conditions of fluorine-doped indium oxide films for silicon solar cells
Nächster Artikel Transition from the two- to three-dimensional growth of Ge films upon deposition onto relaxed SiGe/Si(001) buffer layers

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren
Metadaten
Titel
Influence of doping with third group oxides on properties of zinc oxide thin films
verfasst von
Sowmya Palimar
Kasturi V. Bangera
G. K. Shivakumar
Publikationsdatum
01.03.2013
Verlag
SP MAIK Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 3/2013
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782613030184

Weitere Artikel der Ausgabe 3/2013

Semiconductors 3/2013 Zur Ausgabe

Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena

Maximum drift velocity of electrons in selectively doped InAlAs/InGaAs/InAlAs heterostructures with InAs inserts

Electronic Properties of Semiconductors

Specific features of self-compensation in Er x Sn1 − x Se solid solutions

Electronic Properties of Semiconductors

Photoconductivity of vanadium-doped lead telluride in the terahertz spectral region

Surfaces, Interfaces, and Thin Films

Optical size effect in In2O3 nanostructured films

Physics of Semiconductor Devices

Comparison of the properties of AlGaInN light-emitting diode chips of vertical and flip-chip design using silicon as the a submount

Physics of Semiconductor Devices

Picosecond internal Q-switching mode correlates with laser diode breakdown voltage

Premium Partner

    Bildnachweise