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16.11.2016 | Ausgabe 5/2017

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 5/2017

Influence of Fe2+ and Ni2+ contents on the optical and electrical properties of ZnS quantum dots

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 5/2017
Autoren:
Shahid Iqbal, Rafaqat Ali Khan, Muhammad Javed Iqbal, Muhammad Waqas, Jan Nisar, Fahim Shah, Abdur Rahman Khan
Wichtige Hinweise

Electronic supplementary material

The online version of this article (doi:10.​1007/​s10854-016-6074-0) contains supplementary material, which is available to authorized users.

Abstract

The work reports a well controlled synthesis of un-doped and Fe2+ and Ni2+ doped ZnS quantum dots (QDs) based highly luminescent of pure cubic zinc blende structure. The samples were characterized for structural, morphological, optical and electrical parameters and great care has been made in correlating all these properties. The optimum concentrations of Zn1−xFexS and Zn1−xNixS dopants were found to be x = 0.2 for superior optical and electrical properties. Incorporation of Fe2+ or Ni2+ into ZnS lattice have generated acceptor level as an isolated state just above the valence band of ZnS, and hence electron requiring less excitation energy for transferring from the acceptor level to the conduction band. Moreover, it was found that the PL emission intensity of Fe2+ doped ZnS QDs is higher than that of Ni2+ doped. The results indicated that the active luminescent centers created by dopants and localized surface plasmon resonance energy transfer of ZnS QDs significantly increased with Fe2+ ions into the ZnS lattice. Over all in light of the results obtained during the study, the doped samples can have potential for function in vast variety of applications.

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Zusatzmaterial
Supplementary material 1 (DOCX 3278 kb)
10854_2016_6074_MOESM1_ESM.docx
Literatur
Über diesen Artikel

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