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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 11/2018

01.11.2018 | XXII INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOPHYSICS AND NANOELECTRONICS”, NIZHNY NOVGOROD, MARCH 12–15, 2018

Effect of Features of the Band Spectrum on the Characteristics of Stimulated Emission in Narrow-Gap Heterostructures with HgCdTe Quantum Wells

verfasst von: V. V. Rumyantsev, N. S. Kulikov, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, A. V. Ikonnikov, A. S. Kazakov, M. S. Zholudev, V. Ya. Aleshkin, V. V. Utochkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 11/2018

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Abstract

We report on the stimulated emission obtained in the wavelength range of 20.3–17.4 μm on the interband transitions at T = 8–50 K in HgCdTe quantum wells placed in a dielectric waveguide formed from wide-gap CdHgTe solid solution. Heterostructures with HgCdTe quantum wells are interesting for designing long-wavelength lasers operating in the wavelength range of 25–60 μm, which is not covered by currently available quantum cascade lasers. It is shown that the maximum temperature of stimulated emission is determined by the position of lateral maxima in the dispersion dependences in the first valence subband of the quantum well. Methods for suppressing nonradiative recombination in the structures with HgCdTe quantum wells are discussed.
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Literatur
1.
M. S. Vitiello, G. Scalari, B. Williams, and P. DeNatale, Opt. Express 23, 5167 (2015).ADSCrossRef
2.
M. F. Anwar, T. W. Crowe, T. Manzur, W. Terashima, and H. Hirayama, Proc. SPIE 9483, 948304 (2015).CrossRef
3.
K. V. Maremyanin, V. V. Rumyantsev, A. V. Ikonnikov, L. S. Bovkun, E. G. Chizhevskii, I. I. Zasavitskii, and V. I. Gavrilenko, Semiconductors 50, 1669 (2016).ADSCrossRef
4.
5.
I. I. Zasavitskii, Tr. FIAN 224, 3 (1993).
6.
V. N. Abakumov, V. I. Perel, and I. N. Yassievich, Nonradiative Recombination in Semiconductors (North-Holland, Elsevier Science, Amsterdam, 1991).
7.
G. Alymov, D. Svintsov, V. Vyurkov, V. Ryzhii, and A. Satou, arXiv:1709.09015 (2018).
8.
B. A. Bernevig, T. L. Hughes, and S. C. Zhang, Science (Washington, DC, U. S.) 314 (5806), 1757 (2006).ADSCrossRef
9.
A. M. Kadykov, J. Torres, S. S. Krishtopenko, C. Consejo, S. Ruffenach, M. Marcinkiewicz, D. But, W. Knap, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, and F. Teppe, Appl. Phys. Lett. 108, 262102 (2016).ADSCrossRef
10.
V. S. Varavin, V. V. Vasiliev, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, V. N. Ovsyuk, Yu. G. Sidorov, A. O. Suslyakov, M. V. Yakushev, and A. L. Aseev, Opto-Electron. Rev. 11, 99 (2003).
11.
S. V. Morozov, V. V. Rumyantsev, A. V. Antonov, K. V. Maremyanin, K. E. Kudryavtsev, L. V. Krasilnikova, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, and V. I. Gavrilenko, Appl. Phys. Lett. 104, 072102 (2014).ADSCrossRef
12.
V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, A. V. Antonov, M. S. Zholudev, K. E. Kudryavtsev, V. I. Gavrilenko, S. A. Dvoretskii, and N. N. Mikhailov, Semicond. Sci. Technol. 28, 125007 (2013).ADSCrossRef
13.
S. V. Morozov, V. V. Rumyantsev, A. V. Antonov, A. M. Kadykov, K. V. Maremyanin, K. E. Kudryavtsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, and V. I. Gavrilenko, Appl. Phys. Lett. 105, 022102 (2014).ADSCrossRef
14.
S. Ruffenach, A. Kadykov, V. V. Rumyantsev, J. Torres, D. Coquillat, D. But, S. S. Krishtopenko, C. Consejo, W. Knap, S. Winnerl, M. Helm, M. A. Fadeev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, and F. Teppe, APL Mater. 5, 035503 (2017).ADSCrossRef
15.
S. V. Morozov, V. V. Rumyantsev, M. A. Fadeev, M. S. Zholudev, K. E. Kudryavtsev, A. V. Antonov, A. M. Kadykov, A. A. Dubinov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, and V. I. Gavrilenko, Appl. Phys. Lett. 111, 192101 (2017).ADSCrossRef
16.
J. Bleuse, J. Bonnet-Gamard, G. Mula, N. Magnea, and P. Jean-Louis, J. Cryst. Growth 197, 529 (1999).ADSCrossRef
17.
J. M. Arias, M. Zandian, R. Zucca, and J. Singh, Semicond. Sci. Techn. 8, S255 (1993).ADSCrossRef
18.
V. V. Rumyantsev, A. M. Fadeev, A. A. Dubinov, V. V. Utochkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, and V. I. Gavrilenko, Semiconductors 51, 1557 (2017).ADSCrossRef
19.
N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, D. G. Ikusov, V. G. Remesnik, V. A. Shvets, and I. N. Uzhakov, in Proceedings of the 22nd International Symposium on Nanophysics and Nanoelectronics, March 12–15, 2018, Nizhnii Novgorod.
20.
J. Shao, W. Lu, X. Lü, F. Yue, Z. Li, S. Guo, and J. Chu, Rev. Sci. Instrum. 77, 063104 (2006).ADSCrossRef
21.
S. V. Morozov, V. V. Rumyantsev, A. M. Kadykov, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, A. V. Antonov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, and V. I. Gavrilenko, Appl. Phys. Lett. 108, 092104 (2016).ADSCrossRef
22.
S. V. Morozov, V. V. Rumyantsev, A. A. Dubinov, A. V. Antonov, A. M. Kadykov, K. E. Kudryavtsev, D. I. Kuritsin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, and V. I. Gavrilenko, Appl. Phys. Lett. 107, 042105 (2015).ADSCrossRef
Metadaten
Titel
Effect of Features of the Band Spectrum on the Characteristics of Stimulated Emission in Narrow-Gap Heterostructures with HgCdTe Quantum Wells
verfasst von
V. V. Rumyantsev
N. S. Kulikov
A. M. Kadykov
M. A. Fadeev
A. V. Ikonnikov
A. S. Kazakov
M. S. Zholudev
V. Ya. Aleshkin
V. V. Utochkin
N. N. Mikhailov
S. A. Dvoretskii
S. V. Morozov
V. I. Gavrilenko
Publikationsdatum
01.11.2018
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 11/2018
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782618110234

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