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Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 9/2012

01.09.2012

Surface morphology and optoelectronic studies of sol–gel derived nanostructured CdO thin films: heat treatment effect

verfasst von: A. Abdolahzadeh Ziabari, F. E. Ghodsi

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 9/2012

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Abstract

Morphological dependence of the optoelectronic properties of sol–gel derived CdO thin films annealed at different temperatures in air has been studied. After preparing, the films were investigated by studying their structural, morphological, d.c. electrical and optical properties. X-ray diffraction results suggest that the samples are polycrystalline and the crystallinity of them enhanced with annealing temperature. The average grain size is in the range of 12–34 nm. The root mean square roughness of the films was increased from 3.09 to 6.43 nm with annealing temperature. It was observed that the electro-optical characteristics of the films were strongly affected by surface roughness. As morphology and structure changed due to heat treatment, the carrier concentration was varied from 1.13 × 1019 to 3.10 × 1019 cm−3 with annealing temperature and the mobility increased from less than 7 to 44.8 cm2 V−1 s−1. It was found that the transmittance and the band gap decreased as annealing temperature increased. The optical constants of the film were studied and the dispersion of the refractive index was discussed in terms of the Wemple–DiDomenico single oscillator model. The real and imaginary parts of the dielectric constant of the films were also determined. The volume energy loss increases more than the surface energy loss at their particular peaks.

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Metadaten
Titel
Surface morphology and optoelectronic studies of sol–gel derived nanostructured CdO thin films: heat treatment effect
verfasst von
A. Abdolahzadeh Ziabari
F. E. Ghodsi
Publikationsdatum
01.09.2012
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 9/2012
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-012-0640-x

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