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Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 4/2016

17.12.2015

Investigations on morphological and electrical studies of sputtered MoO3 films

verfasst von: V. Nirupama, S. Uthanna

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 4/2016

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Abstract

Molybdenum oxide (MoO3) films were deposited by sputtering of molybdenum target under different substrate temperatures 303–673 K using DC magnetron sputtering. Sputtered MoO3 films under optimized conditions show nano structured grains whose size is around 140 nm, while roughness of the films will increase from 5.7 to 70 nm due to grain growth and mechanical stress development on the films. The microhardness of MoO3 films increased from 0.49 to 1.28 GPa with increase of substrate temperature. The electrical resistivity of the MoO3 films at 303 K is 0.27 × 104 Ω cm increases to 1.9 × 104 Ω cm with increase of substrate temperature and then decreases at higher substrate temperature. The activation energies of the films at higher temperature region was varied from 0.98 to 1.30 eV while at low temperature region the activation energies were in the range 0.02–0.10 eV. The refractive index of MoO3 films increases from 2.03 to 2.18 with increase of substrate temperature from 303 to 673 K due to packing density. The change in morphological and microhardness properties can be explained due to the existence of a mixed phases and stoichiometric films.

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Metadaten
Titel
Investigations on morphological and electrical studies of sputtered MoO3 films
verfasst von
V. Nirupama
S. Uthanna
Publikationsdatum
17.12.2015
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 4/2016
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-015-4206-6

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