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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 4/2004

01.04.2004 | Low-Dimensional Systems

Tuning the energy spectrum of InAs/GaAs quantum dots by varying the thickness and composition of the thin double GaAs/InGaAs cladding layer

verfasst von: I. A. Karpovich, B. N. Zvonkov, S. B. Levichev, N. V. Baidus, S. V. Tikhov, D. O. Filatov, A. P. Gorshkov, S. Yu. Ermakov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 4/2004

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Metadaten
Titel
Tuning the energy spectrum of InAs/GaAs quantum dots by varying the thickness and composition of the thin double GaAs/InGaAs cladding layer
verfasst von
I. A. Karpovich
B. N. Zvonkov
S. B. Levichev
N. V. Baidus
S. V. Tikhov
D. O. Filatov
A. P. Gorshkov
S. Yu. Ermakov
Publikationsdatum
01.04.2004
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 4/2004
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/1.1734670

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