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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 3/2013

01.03.2013 | Physics of Semiconductor Devices

Comparison of the properties of AlGaInN light-emitting diode chips of vertical and flip-chip design using silicon as the a submount

verfasst von: L. K. Markov, I. P. Smirnova, A. S. Pavlyuchenko, M. V. Kukushkin, E. D. Vasil’eva, A. E. Chernyakov, A. S. Usikov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 3/2013

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Metadaten
Titel
Comparison of the properties of AlGaInN light-emitting diode chips of vertical and flip-chip design using silicon as the a submount
verfasst von
L. K. Markov
I. P. Smirnova
A. S. Pavlyuchenko
M. V. Kukushkin
E. D. Vasil’eva
A. E. Chernyakov
A. S. Usikov
Publikationsdatum
01.03.2013
Verlag
SP MAIK Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 3/2013
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782613030160

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