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Erschienen in: Journal of Computational Electronics 4/2018

01.10.2018

Mathematical aspects of simulating efficient RF operation of HEMTs

verfasst von: Gennadiy Z. Garber

Erschienen in: Journal of Computational Electronics | Ausgabe 4/2018

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Abstract

We consider the mathematical basis of our earlier developed program for the time domain analysis of the amplifier’s electrical circuit whose nonlinear part (intrinsic transistor) is given by the two-dimensional model including the electron velocity overshoot and avalanche multiplication of charge carriers. This program is quite economical (we execute it on personal computers) because we modified classical numerical methods used by us, such as the Samarskii locally one-dimensional scheme for parabolic partial differential equations and Newton method for time domain simulations.

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2.
Zurück zum Zitat Lee, J.-W., Kumar, V., Adesida, I.: High-power-density 0.25 µm gate-length AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on semi-insulating 6H–SiC substrates. Jpn. J. Appl. Phys. 45(1A), 13–17 (2006)CrossRef Lee, J.-W., Kumar, V., Adesida, I.: High-power-density 0.25 µm gate-length AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on semi-insulating 6H–SiC substrates. Jpn. J. Appl. Phys. 45(1A), 13–17 (2006)CrossRef
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Metadaten
Titel
Mathematical aspects of simulating efficient RF operation of HEMTs
verfasst von
Gennadiy Z. Garber
Publikationsdatum
01.10.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Computational Electronics / Ausgabe 4/2018
Print ISSN: 1569-8025
Elektronische ISSN: 1572-8137
DOI
https://doi.org/10.1007/s10825-018-1252-3

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