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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 2/2006

01.02.2006 | Low-Dimensional Systems

Persistent IR photoconductivity in InAs/GaAs structures with QD layers

verfasst von: V. A. Kul’bachinskiĭ, V. A. Rogozin, V. G. Kytin, R. A. Lunin, B. N. Zvonkov, Z. M. Dashevsky, V. A. Casian

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 2/2006

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Metadaten
Titel
Persistent IR photoconductivity in InAs/GaAs structures with QD layers
verfasst von
V. A. Kul’bachinskiĭ
V. A. Rogozin
V. G. Kytin
R. A. Lunin
B. N. Zvonkov
Z. M. Dashevsky
V. A. Casian
Publikationsdatum
01.02.2006
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 2/2006
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782606020187

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